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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 8GBIT 933MHZ FBGA
详细描述:SDRAM - Mobile LPDDR3 存储器 IC 8Gb (256M x 32) 933MHz
型号:
MT52L256M32D1PF-107 WT:B TR
仓库库存编号:
MT52L256M32D1PF-107 WT:B TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 16GBIT 100VBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 16Gb (2G x 8) 并联 100MHz 100-VBGA(12x18)
型号:
MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C TR
仓库库存编号:
MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 16GBIT 100VBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 16Gb (2G x 8) 并联 100MHz 100-VBGA(12x18)
型号:
MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C
仓库库存编号:
MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 128GBIT 152VBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 128Gb (16G x 8) 并联 166MHz
型号:
MT29F128G08CBCCBH6-6ITR:C TR
仓库库存编号:
MT29F128G08CBCCBH6-6ITR:C TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 128GBIT 152VBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 128Gb (16G x 8) 并联 166MHz
型号:
MT29F128G08CBCCBH6-6ITR:C
仓库库存编号:
MT29F128G08CBCCBH6-6ITR:C-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 128GBIT 48TSOP
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 128Gb (16G x 8) 并联 48-TSOP I
型号:
MT29F128G08CFAAAWP-ITZ:A
仓库库存编号:
MT29F128G08CFAAAWP-ITZ:A-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 128GBIT 48TSOP
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 128Gb (16G x 8) 并联 48-TSOP I
型号:
MT29F128G08CFAAAWP-ITZ:A TR
仓库库存编号:
MT29F128G08CFAAAWP-ITZ:A TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 8GBIT 1.2GHZ 78BGA
详细描述:SDRAM - DDR4 存储器 IC 8Gb (1G x 8) 并联 1.2GHz 78-FBGA(8x12)
型号:
MT40A1G8WE-083E AIT:B TR
仓库库存编号:
557-1683-1-ND
别名:557-1683-1
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 8GBIT 1.2GHZ 96BGA
详细描述:SDRAM - DDR4 存储器 IC 8Gb (512M x 16) 并联 1.2GHz 96-FBGA(8x14)
型号:
MT40A512M16JY-083E AIT:B TR
仓库库存编号:
557-1688-1-ND
别名:557-1688-1
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
DDR4 8G 2GX4 FBGA Z01A
详细描述:SDRAM - DDR4 存储器 IC 8Gb (2G x 4) 并联 1.33GHz 78-FBGA(8x12)
型号:
MT40A2G4WE-075E:B TR
仓库库存编号:
557-1731-1-ND
别名:557-1731-1
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 16GBIT 48TSOP
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 16Gb (2G x 8) 并联 48-TSOP
型号:
MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C TR
仓库库存编号:
MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 16GBIT 48TSOP
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 16Gb (2G x 8) 并联 48-TSOP
型号:
MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C
仓库库存编号:
MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 8GBIT 933MHZ 78FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 8Gb (1G x 8) 并联 933MHz 20ns 78-FBGA(9x13.2)
型号:
MT41K1G8SN-107:A
仓库库存编号:
MT41K1G8SN-107:A-ND
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 8GBIT 933MHZ 96FBGA
详细描述:SDRAM - DDR3L 存储器 IC 8Gb (512M x 16) 并联 933MHz 20ns 96-FBGA(14x9)
型号:
MT41K512M16HA-107:A
仓库库存编号:
MT41K512M16HA-107:A-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 128GBIT 132VBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 128Gb (16G x 8) 并联 166MHz
型号:
MT29F128G08CECDBJ4-6R:D TR
仓库库存编号:
MT29F128G08CECDBJ4-6R:D TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 32GBIT 167MHZ 132VBGA
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 32Gb (4G x 8) 并联 166MHz
型号:
MT29F32G08ABCDBJ4-6IT:D
仓库库存编号:
MT29F32G08ABCDBJ4-6IT:D-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 128GBIT WAFER
详细描述:FLASH - NAND 存储器 IC 128Gb (16G x 8) 并联
型号:
MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R
仓库库存编号:
MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 300MHZ 144UBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (32M x 9) 并联 300MHz 20ns 144-μBGA(18.5x11)
型号:
MT49H32M9FM-33:B TR
仓库库存编号:
MT49H32M9FM-33:B TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144UBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (8M x 36) 并联 400MHz 20ns 144-μBGA(18.5x11)
型号:
MT49H8M36FM-25:B TR
仓库库存编号:
MT49H8M36FM-25:B TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 300MHZ 144UBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (8M x 36) 并联 300MHz 20ns 144-μBGA(18.5x11)
型号:
MT49H8M36FM-33:B TR
仓库库存编号:
MT49H8M36FM-33:B TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (16M x 18) 并联 400MHz 20ns 144-FBGA(18.5x11)
型号:
MT49H16M18SJ-25:B TR
仓库库存编号:
MT49H16M18SJ-25:B TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (8M x 36) 并联 400MHz 20ns 144-FBGA(18.5x11)
型号:
MT49H8M36SJ-25:B TR
仓库库存编号:
MT49H8M36SJ-25:B TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (32M x 9) 并联 400MHz 20ns 144-FBGA(18.5x11)
型号:
MT49H32M9SJ-25:B TR
仓库库存编号:
MT49H32M9SJ-25:B TR-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (8M x 36) 并联 400MHz 20ns 144-FBGA(18.5x11)
型号:
MT49H8M36SJ-25:B
仓库库存编号:
MT49H8M36SJ-25:B-ND
品牌:Micron Technology Inc.,规格:写周期时间 - 字,页 -,
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IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144FBGA
详细描述:DRAM 存储器 IC 288Mb (32M x 9) 并联 400MHz 20ns 144-FBGA(18.5x11)
型号:
MT49H32M9SJ-25:B
仓库库存编号:
MT49H32M9SJ-25:B-ND
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