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TE Connectivity Passive Product
RES SMD 18 MOHM 1% 1W 2512
详细描述:±1% 1W 金属箔 芯片电阻 2512(6432 公制) 电流检测 金属箔
型号:
TL3AR018FTDG
仓库库存编号:
TL3AR018FTDG-ND
别名:4-1625827-2
4-1625827-2-ND
规格:特性 电流检测,
无铅
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TE Connectivity Passive Product
RES SMD 75 MOHM 1% 1W 2512
详细描述:±1% 1W 金属箔 芯片电阻 2512(6432 公制) 电流检测 金属箔
型号:
TL3AR075FTDG
仓库库存编号:
TL3AR075FTDG-ND
别名:4-1625827-9
4-1625827-9-ND
规格:特性 电流检测,
无铅
搜索
TE Connectivity Passive Product
RES SMD 220 MOHM 1% 1W 2512
详细描述:±1% 1W 金属箔 芯片电阻 2512(6432 公制) 电流检测 金属箔
型号:
TL3AR22FTDG
仓库库存编号:
TL3AR22FTDG-ND
别名:2-1625827-4
2-1625827-4-ND
规格:特性 电流检测,
无铅
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TE Connectivity Passive Product
RES SMD 150 MOHM 1% 1W 2512
详细描述:±1% 1W 金属箔 芯片电阻 2512(6432 公制) 电流检测 金属箔
型号:
TL3AR15FTDG
仓库库存编号:
TL3AR15FTDG-ND
别名:1-1625827-7
规格:特性 电流检测,
无铅
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Ohmite
RES SMD 10 MOHM 1% 0.6W 2010
详细描述:±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010(5025 公制) 电流检测 绕线
型号:
RW0S6BBR010FET
仓库库存编号:
RW0S6BBR010FETTR-ND
别名:RW0S6BBR010FETTR
规格:特性 电流检测,
无铅
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Ohmite
RES SMD 15 MOHM 1% 0.6W 2010
详细描述:±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010(5025 公制) 电流检测 绕线
型号:
RW0S6BBR015FET
仓库库存编号:
RW0S6BBR015FETTR-ND
别名:RW0S6BBR015FETTR
规格:特性 电流检测,
无铅
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Ohmite
RES SMD 30 MOHM 1% 0.6W 2010
详细描述:±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010(5025 公制) 电流检测 绕线
型号:
RW0S6BBR030FET
仓库库存编号:
RW0S6BBR030FETTR-ND
别名:RW0S6BBR030FETTR
规格:特性 电流检测,
无铅
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Ohmite
RES SMD 75 MOHM 1% 0.6W 2010
详细描述:±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010(5025 公制) 电流检测 绕线
型号:
RW0S6BBR075FET
仓库库存编号:
RW0S6BBR075FETTR-ND
别名:RW0S6BBR075FETTR
规格:特性 电流检测,
无铅
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Ohmite
RES SMD 240 MOHM 1% 0.6W 2010
详细描述:±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010(5025 公制) 电流检测 绕线
型号:
RW0S6BBR240FET
仓库库存编号:
RW0S6BBR240FETTR-ND
别名:RW0S6BBR240FETTR
规格:特性 电流检测,
无铅
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Ohmite
RES SMD 470 MOHM 1% 0.6W 2010
详细描述:±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010(5025 公制) 电流检测 绕线
型号:
RW0S6BBR470FET
仓库库存编号:
RW0S6BBR470FETTR-ND
别名:RW0S6BBR470FETTR
规格:特性 电流检测,
无铅
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Ohmite
RES SMD 750 MOHM 1% 0.6W 2010
详细描述:±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010(5025 公制) 电流检测 绕线
型号:
RW0S6BBR750FET
仓库库存编号:
RW0S6BBR750FETTR-ND
别名:RW0S6BBR750FETTR
规格:特性 电流检测,
无铅
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Ohmite
RES SMD 2 OHM 1% 0.6W 2010
详细描述:±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010(5025 公制) 电流检测 绕线
型号:
RW0S6BB2R00FET
仓库库存编号:
RW0S6BB2R00FETTR-ND
别名:RW0S6BB2R00FETTR
规格:特性 电流检测,
无铅
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Ohmite
RES SMD 5 OHM 1% 0.6W 2010
详细描述:±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010(5025 公制) 电流检测 绕线
型号:
RW0S6BB5R00FET
仓库库存编号:
RW0S6BB5R00FETTR-ND
别名:RW0S6BB5R00FETTR
规格:特性 电流检测,
无铅
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Ohmite
RES SMD 7.5 OHM 1% 0.6W 2010
详细描述:±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010(5025 公制) 电流检测 绕线
型号:
RW0S6BB7R50FET
仓库库存编号:
RW0S6BB7R50FETTR-ND
别名:RW0S6BB7R50FETTR
规格:特性 电流检测,
无铅
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Ohmite
RES SMD 24 OHM 1% 0.6W 2010
详细描述:±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010(5025 公制) 电流检测 绕线
型号:
RW0S6BB24R0FET
仓库库存编号:
RW0S6BB24R0FETTR-ND
别名:RW0S6BB24R0FETTR
规格:特性 电流检测,
无铅
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Ohmite
RES SMD 36 OHM 1% 0.6W 2010
详细描述:±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010(5025 公制) 电流检测 绕线
型号:
RW0S6BB36R0FET
仓库库存编号:
RW0S6BB36R0FETTR-ND
别名:RW0S8BB36R0FET
RW0S8BB36R0FETTR
RW0S8BB36R0FETTR-ND
规格:特性 电流检测,
无铅
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Ohmite
RES SMD 47 OHM 1% 0.6W 2010
详细描述:±1% 0.6W 绕线 芯片电阻 2010(5025 公制) 电流检测 绕线
型号:
RW0S6BB47R0FET
仓库库存编号:
RW0S6BB47R0FETTR-ND
别名:RW0S8BB47R0FET
RW0S8BB47R0FETTR
RW0S8BB47R0FETTR-ND
规格:特性 电流检测,
无铅
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Bourns Inc.
RES SMD 100K OHM 0.01% 1/4W 1206
详细描述:±0.01% 0.25W,1/4W 薄膜 芯片电阻 1206(3216 公制) 电流检测 薄膜
型号:
CRT1206-PY-1003ELF
仓库库存编号:
CRT1206-PY-1003ELF-ND
规格:特性 电流检测,
无铅
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Vishay Dale
SR5 6 MOHM 1% E66 E3
详细描述:±1% 5W Through Hole Resistor Radial Current Sense Wirewound
型号:
SR56L000FE66
仓库库存编号:
SR56L000FE66-ND
规格:特性 电流检测,
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Susumu
RES SMD 3 MOHM 1% 1W 2512
详细描述:3 mOhms ±1% 1W 薄膜 芯片电阻 2512(6432 公制) 电流检测 薄膜
型号:
RL3264L4-R003-F
仓库库存编号:
RL32L4.003FTR-ND
别名:RL32L4.003FTR
规格:特性 电流检测,
无铅
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Susumu
RES SMD 4 MOHM 1% 1W 2512
详细描述:4 mOhms ±1% 1W 薄膜 芯片电阻 2512(6432 公制) 电流检测 薄膜
型号:
RL3264L4-R004-F
仓库库存编号:
RL32L4.004FCT-ND
别名:RL3264L4R004F
RL32L4.004FCT
规格:特性 电流检测,
无铅
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Susumu
RES SMD 5 MOHM 1% 1W 2512
详细描述:5 mOhms ±1% 1W 薄膜 芯片电阻 2512(6432 公制) 电流检测 薄膜
型号:
RL3264L4-R005-F
仓库库存编号:
RL32L4.005FCT-ND
别名:RL3264L4R005F
RL32L4.005FCT
规格:特性 电流检测,
无铅
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Susumu
RES SMD 6 MOHM 1% 1W 2512
详细描述:6 mOhms ±1% 1W 薄膜 芯片电阻 2512(6432 公制) 电流检测 薄膜
型号:
RL3264L4-R006-F
仓库库存编号:
RL32L4.006FTR-ND
别名:RL32L4.006FTR
规格:特性 电流检测,
无铅
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Susumu
RES SMD 7 MOHM 1% 1W 2512
详细描述:7 mOhms ±1% 1W 薄膜 芯片电阻 2512(6432 公制) 电流检测 薄膜
型号:
RL3264L4-R007-F
仓库库存编号:
RL32L4.007FCT-ND
别名:RL3264L4R007F
RL32L4.007FCT
规格:特性 电流检测,
无铅
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Susumu
RES SMD 8 MOHM 1% 1W 2512
详细描述:8 mOhms ±1% 1W 薄膜 芯片电阻 2512(6432 公制) 电流检测 薄膜
型号:
RL3264L4-R008-F
仓库库存编号:
RL32L4.008FCT-ND
别名:RL3264L4R008F
RL32L4.008FCT
规格:特性 电流检测,
无铅
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