规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 153A 446W SOT227
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 153A 446W Chassis Mount ISOTOP?
型号：
APT100GN120JDQ4
仓库库存编号：
APT100GN120JDQ4-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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IXYS
IGBT 1700V 160A GENX3 SOT-227B
详细描述：IGBT Module NPT Single 1700V 160A 735W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXGN100N170
仓库库存编号：
IXGN100N170-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1100V 34A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN40N110P
仓库库存编号：
IXFN40N110P-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE HEXFRED 70A 1200V SOT-227
详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 1200V 70A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
VS-HFA70FA120
仓库库存编号：
VS-HFA70FA120-ND
别名：VSHFA70FA120
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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IXYS
DIODE MODULE 600V 120A SOT227B
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 120A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
DSEC240-06A
仓库库存编号：
DSEC240-06A-ND
别名：Q1126779
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 33A ISOPLUS227
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 33A（Tc） 580W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFE36N100
仓库库存编号：
IXFE36N100-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE MODULE 1.2KV 110A SOT227
详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 1200V 110A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
VS-HFA220FA120
仓库库存编号：
VS-HFA220FA120GI-ND
别名：VS-HFA220FA120GI
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE MODULE 1.2KV 35A SOT227
详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 1200V 35A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
VS-HFA70EA120
仓库库存编号：
VS-HFA70EA120GI-ND
别名：VS-HFA70EA120GI
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE MODULE 600V 40A SOT227
详细描述：Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 600V 40A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
APT2X40DC60J
仓库库存编号：
APT2X40DC60J-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 84A（Tc） 960W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT80M60J
仓库库存编号：
APT80M60J-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE MODULE 1.2KV 20A SOT227
详细描述：Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 1200V 20A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
APT2X20DC120J
仓库库存编号：
APT2X20DC120J-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1100V 36A（Tc） 1000W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN36N110P
仓库库存编号：
IXFN36N110P-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS227
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 34A（Tc） 580W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFE39N90
仓库库存编号：
IXFE39N90-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 45A（Tc） 960W（Tc） SOT-227
型号：
APT45M100J
仓库库存编号：
APT45M100J-ND
别名：APT45M100JMI
APT45M100JMI-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 39A（Tc） 694W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN39N90
仓库库存编号：
IXFN39N90-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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Global Power Technologies Group
SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C
详细描述：Power Driver Module MOSFET 1 Phase 1200V 40A SOT-227-4, miniBLOC
型号：
GCMS080A120S1-E1
仓库库存编号：
GCMS080A120S1-E1-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 62A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 62A（Tc） 800W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN62N50L
仓库库存编号：
IXTN62N50L-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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IXYS
IC TRANS BIPO 1700V SOT-227
详细描述：IGBT Module Single 1700V 75A 625W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXBN75N170A
仓库库存编号：
IXBN75N170A-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 600V 200A 652W SOT-227
详细描述：IGBT Module Trench Single 600V 200A 652W Chassis Mount SOT-227
型号：
VS-GT140DA60U
仓库库存编号：
VS-GT140DA60U-ND
别名：VSGT140DA60U
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 32A（Tc） 1000W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN32N120P
仓库库存编号：
IXFN32N120P-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 84A（Tc） 961W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT80F60J
仓库库存编号：
APT80F60J-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 2500V 5A SOT227B
详细描述：底座安装 N 沟道 2500V 5A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN5N250
仓库库存编号：
IXTN5N250-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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Global Power Technologies Group
SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S
详细描述：Power Driver Module IGBT 1 Phase 1200V 160A SOT-227-4, miniBLOC
型号：
GHIS080A120S1-E1
仓库库存编号：
GHIS080A120S1-E1-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 175A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 175A（Tc） 700W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT20M11JVR
仓库库存编号：
APT20M11JVR-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 58A（Tc） 595W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT60M75JLL
仓库库存编号：
APT60M75JLL-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
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