规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(859)
分立半导体产品
(859)
筛选品牌
Fairchild/Micross Components(2)
Fairchild/ON Semiconductor(1)
GeneSiC Semiconductor(74)
Global Power Technologies Group(121)
IXYS(342)
Microsemi Corporation(198)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(31)
STMicroelectronics(1)
Vishay BC Components(1)
Vishay Beyschlag(48)
Vishay Electro-Films(19)
Vishay Huntington Electric Inc.(8)
Vishay Semiconductor Diodes Division(2)
Vishay Semiconductor Opto Division(3)
Vishay Siliconix(8)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
IGBT 600V 430A SOT-227
详细描述：IGBT Module PT Single 600V 430A 1000W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXGN400N60B3
仓库库存编号：
IXGN400N60B3-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1100V 25A（Tc） 695W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN30N110P
仓库库存编号：
IXFN30N110P-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 23A（Tc） 595W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN26N100P
仓库库存编号：
IXFN26N100P-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
MOD BRIDGE 61A 600V 1-PH SOT-227
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 61A Chassis Mount SOT-227
型号：
VS-SA61BA60
仓库库存编号：
VS-SA61BA60-ND
别名：VSSA61BA60
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 15A（Tc） 540W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN17N120L
仓库库存编号：
IXTN17N120L-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 23A（Tc） 695W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN26N120P
仓库库存编号：
IXFN26N120P-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 38A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN44N100Q3
仓库库存编号：
IXFN44N100Q3-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227
详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 400V 120A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
VS-UFB201FA40
仓库库存编号：
VS-UFB201FA40-ND
别名：VSUFB201FA40
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1100V 35A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN40N110Q3
仓库库存编号：
IXFN40N110Q3-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 25A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT10035JLL
仓库库存编号：
APT10035JLL-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE MODULE 600V 30A SOT227
详细描述：Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 600V 30A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
APT2X30DC60J
仓库库存编号：
APT2X30DC60J-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE MODULE 600V 30A SOT227
详细描述：Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 600V 30A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
APT2X31DC60J
仓库库存编号：
APT2X31DC60J-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 123A 570W SOT227
详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 123A 570W Chassis Mount ISOTOP?
型号：
APT100GT120JR
仓库库存编号：
APT100GT120JR-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 480V 80A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN80N48
仓库库存编号：
IXFN80N48-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 300V 130A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN130N30
仓库库存编号：
IXFN130N30-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 44A（Tc） 450W（Tc） SOT-227
型号：
APT5010JVRU3
仓库库存编号：
APT5010JVRU3-ND
别名：APT5010JVRU3MI
APT5010JVRU3MI-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 71A（Tc） 595W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT50M50JLL
仓库库存编号：
APT50M50JLL-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
DIODE MODULE 400V 400A SOT227B
详细描述：标准 底座安装 二极管 400V 400A SOT-227B
型号：
DPF400C400NB
仓库库存编号：
DPF400C400NB-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 200A 1600V SOT-227B
详细描述：IGBT Module Single 1600V 200A Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXGN100N160A
仓库库存编号：
IXGN100N160A-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE HEXFRED 45A 1200V SOT-227
详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 1200V 45A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
VS-HFA90FA120
仓库库存编号：
VS-HFA90FA120-ND
别名：VSHFA90FA120
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 34A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN34N100
仓库库存编号：
IXFN34N100-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE HEXFRED 70A 600V SOT-227
详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 600V 70A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
VS-HFA140FA60
仓库库存编号：
VS-HFA140FA60-ND
别名：VSHFA140FA60
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 10A Chassis Mount SOT-227
型号：
APT10DC120HJ
仓库库存编号：
APT10DC120HJ-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 30A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN30N120P
仓库库存编号：
IXFN30N120P-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 33A（Tc） 960W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT32F120J
仓库库存编号：
APT32F120J-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
