规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(859)
分立半导体产品
(859)
筛选品牌
Fairchild/Micross Components(2)
Fairchild/ON Semiconductor(1)
GeneSiC Semiconductor(74)
Global Power Technologies Group(121)
IXYS(342)
Microsemi Corporation(198)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(31)
STMicroelectronics(1)
Vishay BC Components(1)
Vishay Beyschlag(48)
Vishay Electro-Films(19)
Vishay Huntington Electric Inc.(8)
Vishay Semiconductor Diodes Division(2)
Vishay Semiconductor Opto Division(3)
Vishay Siliconix(8)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 72A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN80N50Q2
仓库库存编号：
IXFN80N50Q2-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 39A（Tc） 460W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT6013JLL
仓库库存编号：
APT6013JLL-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 30A（Tc） 580W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFE34N100
仓库库存编号：
IXFE34N100-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
型号：
APT33N90JCCU2
仓库库存编号：
APT33N90JCCU2-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 400A 600V SOT-227B
详细描述：IGBT Module PT Single 600V 400A 830W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXGN400N60A3
仓库库存编号：
IXGN400N60A3-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
Global Power Technologies Group
SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S
详细描述：Power Driver Module IGBT 1 Phase 1200V 120A SOT-227-4, miniBLOC
型号：
GHIS060A120S1-E1
仓库库存编号：
GHIS060A120S1-E1-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 60V 340A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN340N06
仓库库存编号：
IXFN340N06-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
POWER MOD 1200V 80A SOT227
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 80A 312W Chassis, Stud Mount SOT-227
型号：
APT40GLQ120JCU2
仓库库存编号：
APT40GLQ120JCU2-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227
详细描述：底座安装 P 沟道 200V 106A（Tc） 830W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN120P20T
仓库库存编号：
IXTN120P20T-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227
详细描述：底座安装 P 沟道 100V 210A（Tc） 830W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN210P10T
仓库库存编号：
IXTN210P10T-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 900V 68A 284W SOT227
详细描述：IGBT Module PT Single 900V 68A 284W Chassis Mount ISOTOP?
型号：
APT40GP90J
仓库库存编号：
APT40GP90J-ND
别名：APT40GP90JG
APT40GP90JG-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 100A（Tc） 735W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN110N20L2
仓库库存编号：
IXTN110N20L2-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 550V 72A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN72N55Q2
仓库库存编号：
IXFN72N55Q2-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 158A ISOPLUS227
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 158A（Tc） 500W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFE180N20
仓库库存编号：
IXFE180N20-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 79A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 200V 85A（Tc） 400W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN79N20
仓库库存编号：
IXTN79N20-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1500V 7.5A（Tc） 545W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN8N150L
仓库库存编号：
IXTN8N150L-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 600V 200A SOT-227
详细描述：IGBT Module PT Single 600V 200A 780W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXXN200N60C3H1
仓库库存编号：
IXXN200N60C3H1-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227
详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 134A 463W Chassis Mount SOT-227
型号：
VS-GT105LA120UX
仓库库存编号：
VS-GT105LA120UX-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
DIODE MODULE 8V 200A SOT227B
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 8V 200A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
DSS2X200-0008D
仓库库存编号：
DSS2X200-0008D-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 87A SOT227
详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 600V 87A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
VS-UFB130FA60
仓库库存编号：
VS-UFB130FA60-ND
别名：VSUFB130FA60
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1200V 58A GENX3 SOT-227B
详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 130A 595W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXGN82N120C3H1
仓库库存编号：
IXGN82N120C3H1-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 1200V 145A SOT-227
详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 145A 595W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXGN82N120B3H1
仓库库存编号：
IXGN82N120B3H1-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227
详细描述：IGBT Module Trench Single 1200V 134A 463W Chassis Mount SOT-227
型号：
VS-GT105NA120UX
仓库库存编号：
VS-GT105NA120UX-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
IGBT 600V 195A ISOTOP
详细描述：IGBT Module NPT Single 600V 195A 500W Chassis Mount SOT-227
型号：
APT200GT60JR
仓库库存编号：
APT200GT60JR-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 72A（Tc） 580W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFE80N50
仓库库存编号：
IXFE80N50-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
