规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 25A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN25N90
仓库库存编号：
IXFN25N90-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 52A（Tc） 625W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN64N50PD2
仓库库存编号：
IXFN64N50PD2-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 200V 160A SOT227
详细描述：Diode Array 2 Independent Schottky 200V 160A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
MBR2X160A200
仓库库存编号：
MBR2X160A200-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
IGBT 600V 200A SOT-227
详细描述：IGBT Module PT Single 600V 200A 780W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXXN200N60B3H1
仓库库存编号：
IXXN200N60B3H1-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 44A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 44A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN44N60
仓库库存编号：
IXFN44N60-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 37A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN44N100P
仓库库存编号：
IXFN44N100P-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 59A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 500V 58A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
型号：
APT58M50JCU2
仓库库存编号：
APT58M50JCU2-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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IXYS
IGBT XPT 1200V 105A SOT-227B
详细描述：IGBT Module Single 1200V 105A 500W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXYN82N120C3
仓库库存编号：
IXYN82N120C3-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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IXYS
IGBT XPT 1200V 152A SOT-227B
详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 165A 690W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXYN100N120B3H1
仓库库存编号：
IXYN100N120B3H1-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 800V 27A（Tc） 520W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN27N80Q
仓库库存编号：
IXFN27N80Q-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 329W SOT227
详细描述：IGBT Module PT Single 600V 100A 329W Chassis Mount ISOTOP?
型号：
APT50GP60J
仓库库存编号：
APT50GP60J-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
型号：
APT33N90JCU2
仓库库存编号：
APT33N90JCU2-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 33A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
型号：
APT33N90JCU3
仓库库存编号：
APT33N90JCU3-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 800V 33A（Tc） 543W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT32M80J
仓库库存编号：
APT32M80J-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 600V 50A（Tc） 290W（Tc） SOT-227
型号：
APT50N60JCCU2
仓库库存编号：
APT50N60JCCU2-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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IXYS
IC TRANS BIPO 1700V SOT-227
详细描述：IGBT Module Single 1700V 42A 312W Chassis Mount SOT-227B
型号：
IXBN42N170A
仓库库存编号：
IXBN42N170A-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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IXYS
DIODE MODULE 1.6KV 60A SOT227B
详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 1600V 60A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
DH2X61-16A
仓库库存编号：
DH2X61-16A-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 86A 284W SOT227
详细描述：IGBT Module PT Single 600V 86A 284W Chassis Mount ISOTOP?
型号：
APT40GP60JDQ2
仓库库存编号：
APT40GP60JDQ2-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 23A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN23N100
仓库库存编号：
IXFN23N100-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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IXYS
DIODE MODULE 45V 160A SOT227B
详细描述：Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45V 160A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
DSS2X160-0045A
仓库库存编号：
DSS2X160-0045A-ND
别名：DSS2X1600045A
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 300V 70A（Tc） 450W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT30M40JVR
仓库库存编号：
APT30M40JVR-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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IXYS
DIODE MODULE 1.8KV 60A SOT227B
详细描述：Diode Array 2 Independent Standard 1800V 60A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号：
DH2X60-18A
仓库库存编号：
DH2X60-18A-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 800V 34A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN34N80
仓库库存编号：
IXFN34N80-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 26A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
型号：
APT26M100JCU2
仓库库存编号：
APT26M100JCU2-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 26A（Tc） 543W（Tc） SOT-227
型号：
APT26M100JCU3
仓库库存编号：
APT26M100JCU3-ND
规格：封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC,
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