规格:封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.9A(Tc) 1.3W(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2334DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2334DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2334DS-T1-GE3CT
规格:封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 750mW(Ta)
型号:
SI2315BDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2315BDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2315BDS-T1-GE3CT
规格:封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.3A(Ta) 750mW(Ta)
型号:
SI2319DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2319DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2319DS-T1-GE3CT
规格:封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,
无铅
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Vishay Thin Film
RES NTWRK 2 RES MULT OHM TO236-3
详细描述:1k, 9k Ohm ±0.5% 100mW Power Per Element Voltage Divider Resistor Network/Array ±25ppm/°C TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
型号:
MPMT10019001DT1
仓库库存编号:
MPMT10019001DT1-ND
规格:封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,
无铅
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Vishay Thin Film
RES NTWRK 2 RES 500 OHM TO236-3
详细描述:500 Ohm ±0.1% 100mW Power Per Element Voltage Divider Resistor Network/Array ±25ppm/°C TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
型号:
MPMT1001AT1
仓库库存编号:
MPMT-500/500CT-ND
别名:MPMT-500/500CT
规格:封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,
无铅
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Vishay Thin Film
RES NTWRK 2 RES MULT OHM TO236-3
详细描述:1k, 25k Ohm ±0.1% 100mW Power Per Element Voltage Divider Resistor Network/Array ±25ppm/°C TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
型号:
MPMT10012502AT1
仓库库存编号:
MPMT-1K/25KCT-ND
别名:MPMT-1K/25KCT
规格:封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 115mA(Ta) 200mW(Ta) TO-236
型号:
2N7002-T1-GE3
仓库库存编号:
2N7002-T1-GE3CT-ND
别名:2N7002-T1-GE3CT
规格:封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Ta),3.6A(Tc) 1.1W(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2304DDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2304DDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2304DDS-T1-GE3CT
规格:封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc)
型号:
SI2324DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2324DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2324DS-T1-GE3CT
规格:封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 350mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
2N7002K-T1-E3
仓库库存编号:
2N7002K-T1-E3CT-ND
别名:2N7002K-T1-E3CT
规格:封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Ta) 710mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2302CDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2302CDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2302CDS-T1-E3CT
规格:封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Tc) 1.25W(Ta),2.1W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2318CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2318CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2318CDS-T1-GE3CT
规格:封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.8A(Tc) 960mW(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2305CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2305CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2305CDS-T1-GE3CT
规格:封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Ta) 710mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2302CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2302CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2302CDS-T1-GE3CT
规格:封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.2A(Tc) 1.25W(Ta),1.8W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2336DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2336DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2336DS-T1-GE3CT
规格:封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.6A(Tc) 1W(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2309CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2309CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2309CDS-T1-GE3CT
规格:封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.15A(Ta) 730mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2328DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2328DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2328DS-T1-E3CT
规格:封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.3A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2319DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2319DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2319DS-T1-E3CT
规格:封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE ZENER 5.1V 300MW SOT23
详细描述:Zener Diode 300mW ±2% Surface Mount SOT-23-3
型号:
BZX84B5V1-E3-08
仓库库存编号:
BZX84B5V1-E3-08CT-ND
别名:BZX84B5V1-E3-08CT
BZX84B5V1-V-GS08CT
BZX84B5V1-V-GS08CT-ND
规格:封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23
详细描述:肖特基 表面贴装 二极管 200mA(DC) SOT-23
型号:
BAS70-00-E3-08
仓库库存编号:
BAS70-00-E3-08CT-ND
别名:BAS70-00-E3-08CT
BAS70-00-V-GS08CT
BAS70-00-V-GS08CT-ND
规格:封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.1A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2333CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2333CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2333CDS-T1-GE3CT
规格:封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.6A(Tc) 1W(Ta),1.7W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2309CDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2309CDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2309CDS-T1-E3CT
规格:封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 115mA(Ta) 200mW(Ta) TO-236
型号:
2N7002-T1-E3
仓库库存编号:
2N7002-T1-E3CT-ND
别名:2N7002-T1-E3CT
规格:封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 80V SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Tc) 3W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2337ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2337ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2337ES-T1_GE3CT
规格:封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.6A(Tc) 2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2319ADS-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2319ADS-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2319ADS-T1_GE3CT
规格:封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,
无铅
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