规格：封装/外壳 模具,
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Central Semiconductor Corp
TRANS PNP DARL 30A 120V DIE
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 30A Surface Mount Die
型号：
CP647-MJ11015-CTJ28
仓库库存编号：
CP647-MJ11015-CTJ28-ND
规格：封装/外壳 模具,
含铅
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Central Semiconductor Corp
TRANS PNP DARL 30A 120V DIE
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 30A Surface Mount Die
型号：
CP647-MJ11015-WN
仓库库存编号：
CP647-MJ11015-WN-ND
规格：封装/外壳 模具,
含铅
搜索
Central Semiconductor Corp
TRANS PNP DARL 30A 120V DIE
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 30A Surface Mount Die
型号：
CP647-MJ11015-WR
仓库库存编号：
CP647-MJ11015-WR-ND
规格：封装/外壳 模具,
含铅
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Central Semiconductor Corp
TRANS PNP DARL 30A 100V DIE
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 30A 4MHz Surface Mount Die
型号：
CP647-PMD19K100-CT
仓库库存编号：
CP647-PMD19K100-CT-ND
规格：封装/外壳 模具,
含铅
搜索
Central Semiconductor Corp
TRANS PNP DARL 30A 100V DIE
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 30A 4MHz Surface Mount Die
型号：
CP647-PMD19K100-WN
仓库库存编号：
CP647-PMD19K100-WN-ND
规格：封装/外壳 模具,
含铅
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Central Semiconductor Corp
TRANS PNP DARL 30A 100V DIE
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 30A 4MHz Surface Mount Die
型号：
CP647-PMD19K100-WS
仓库库存编号：
CP647-PMD19K100-WS-ND
规格：封装/外壳 模具,
含铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 1200V 50A（Tj） 313mW（Tj） 模具
型号：
CPMF-1200-S080B
仓库库存编号：
CPMF-1200-S080B-ND
规格：封装/外壳 模具,
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH SICFET 1200V 28A DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 1200V 28A（Tj） 202W（Tj） 模具
型号：
CPMF-1200-S160B
仓库库存编号：
CPMF-1200-S160B-ND
规格：封装/外壳 模具,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT DIE
详细描述：IGBT 600V 55A Through Hole Die
型号：
IRG4CC50UB
仓库库存编号：
IRG4CC50UB-ND
别名：SP001541902
规格：封装/外壳 模具,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 600mA（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC01D120H6
仓库库存编号：
SIDC01D120H6-ND
别名：SP000013831
规格：封装/外壳 模具,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 带箔切割晶片
型号：
SIDC01D60C6
仓库库存编号：
SIDC01D60C6-ND
别名：SP000017746
规格：封装/外壳 模具,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 6A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC02D60C6
仓库库存编号：
SIDC02D60C6-ND
别名：SP000014997
规格：封装/外壳 模具,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 3A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC02D60F6
仓库库存编号：
SIDC02D60F6-ND
别名：SP000013788
规格：封装/外壳 模具,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 2A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC03D120F6
仓库库存编号：
SIDC03D120F6-ND
别名：SP000013476
规格：封装/外壳 模具,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 3A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC03D120H6
仓库库存编号：
SIDC03D120H6-ND
别名：SP000013218
规格：封装/外壳 模具,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 10A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 10A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC03D60C6
仓库库存编号：
SIDC03D60C6-ND
别名：SP000015128
规格：封装/外壳 模具,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 6A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC03D60F6
仓库库存编号：
SIDC03D60F6-ND
别名：SP000012905
SP000272343
规格：封装/外壳 模具,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 9A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 9A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC04D60F6
仓库库存编号：
SIDC04D60F6-ND
别名：SP000013037
规格：封装/外壳 模具,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 15A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 15A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC05D60C6
仓库库存编号：
SIDC05D60C6-ND
别名：SP000015011
规格：封装/外壳 模具,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 5A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 5A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC06D120E6
仓库库存编号：
SIDC06D120E6-ND
别名：SP000011938
规格：封装/外壳 模具,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 5A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 5A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC06D120F6
仓库库存编号：
SIDC06D120F6-ND
别名：SP000014015
规格：封装/外壳 模具,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 7.5A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 1200V 7.5A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC06D120H6
仓库库存编号：
SIDC06D120H6-ND
别名：SP000013215
规格：封装/外壳 模具,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 20A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC06D60AC6
仓库库存编号：
SIDC06D60AC6-ND
别名：SP000015114
规格：封装/外壳 模具,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 20A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC06D60C6
仓库库存编号：
SIDC06D60C6-ND
别名：SP000015014
规格：封装/外壳 模具,
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DIODE GEN PURP 600V 10A WAFER
详细描述：标准 表面贴装 二极管 600V 10A（DC） 带箔切割晶片
型号：
SIDC06D60E6
仓库库存编号：
SIDC06D60E6-ND
别名：SP000011940
规格：封装/外壳 模具,
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