规格：封装/外壳 模具,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 48A Surface Mount Die
型号：
IRGC4263B
仓库库存编号：
IRGC4263B-ND
别名：SP001545994
规格：封装/外壳 模具,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 48A Surface Mount Die
型号：
IRGC4660B
仓库库存编号：
IRGC4660B-ND
别名：SP001541712
规格：封装/外壳 模具,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC218N06L3X1SA1
仓库库存编号：
IPC218N06L3X1SA1-ND
别名：SP000476924
规格：封装/外壳 模具,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC218N06N3X1SA2
仓库库存编号：
IPC218N06N3X1SA2-ND
别名：SP000544188
规格：封装/外壳 模具,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述：IGBT Trench 600V 24A Surface Mount Die
型号：
IRGC4062B
仓库库存编号：
IRGC4062B-ND
别名：SP001548174
规格：封装/外壳 模具,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC302N08N3X1SA1
仓库库存编号：
IPC302N08N3X1SA1-ND
别名：SP000476912
规格：封装/外壳 模具,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC302NE7N3X1SA1
仓库库存编号：
IPC302NE7N3X1SA1-ND
别名：SP000840426
规格：封装/外壳 模具,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC302N10N3X1SA1
仓库库存编号：
IPC302N10N3X1SA1-ND
别名：SP000476916
规格：封装/外壳 模具,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 120V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC26N12NX1SA1
仓库库存编号：
IPC26N12NX1SA1-ND
别名：SP000296743
规格：封装/外壳 模具,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC302N15N3X1SA1
仓库库存编号：
IPC302N15N3X1SA1-ND
别名：SP000875892
规格：封装/外壳 模具,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC300N15N3RX1SA2
仓库库存编号：
IPC300N15N3RX1SA2-ND
别名：SP001049344
规格：封装/外壳 模具,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 120V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC302N12N3X1SA1
仓库库存编号：
IPC302N12N3X1SA1-ND
别名：SP000717450
规格：封装/外壳 模具,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述：IGBT 1200V 25A Surface Mount Die
型号：
IRG7CH44K10EF
仓库库存编号：
IRG7CH44K10EF-ND
别名：SP001537324
规格：封装/外壳 模具,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述：IGBT Trench 600V 35A Surface Mount Die
型号：
IRGC4069B
仓库库存编号：
IRGC4069B-ND
别名：SP001542204
规格：封装/外壳 模具,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC302N20N3X1SA1
仓库库存编号：
IPC302N20N3X1SA1-ND
别名：SP000619656
规格：封装/外壳 模具,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC302N25N3X1SA1
仓库库存编号：
IPC302N25N3X1SA1-ND
别名：SP000870638
规格：封装/外壳 模具,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC302N20NFDX1SA1
仓库库存编号：
IPC302N20NFDX1SA1-ND
别名：SP001363494
规格：封装/外壳 模具,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC302N25N3AX1SA1
仓库库存编号：
IPC302N25N3AX1SA1-ND
别名：SP000691616
规格：封装/外壳 模具,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 35A Surface Mount Die
型号：
IRG7CH50K10EF
仓库库存编号：
IRG7CH50K10EF-ND
别名：SP001532664
规格：封装/外壳 模具,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述：IGBT Trench 600V 48A Surface Mount Die
型号：
IRGC4063B
仓库库存编号：
IRGC4063B-ND
别名：SP001537838
规格：封装/外壳 模具,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述：IGBT 1200V 50A Surface Mount Die
型号：
IRG8CH50K10F
仓库库存编号：
IRG8CH50K10F-ND
别名：SP001536162
规格：封装/外壳 模具,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
详细描述：IGBT 1200V Surface Mount Die
型号：
IRG7CH54K10EF-R
仓库库存编号：
IRG7CH54K10EF-R-ND
别名：IRG7CH54K10EF
IRG7CH54K10EF-ND
SP001542088
规格：封装/外壳 模具,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述：IGBT 1200V 75A Surface Mount Die
型号：
IRG8CH76K10F
仓库库存编号：
IRG8CH76K10F-ND
别名：SP001545838
规格：封装/外壳 模具,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 100A DIE
详细描述：IGBT 1200V Surface Mount Die
型号：
IRG8CH97K10F
仓库库存编号：
IRG8CH97K10F-ND
别名：SP001547962
规格：封装/外壳 模具,
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Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述：IGBT Trench 600V Surface Mount Die
型号：
IRGC4067B
仓库库存编号：
IRGC4067B-ND
别名：SP001541592
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