品牌:Infineon Technologies,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(262)
分立半导体产品
(257)
集成电路(IC)
(5)
筛选品牌
Infineon Technologies (262)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S407ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S407ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S4-07
IPB80N06S4-07-ND
SP000415568
品牌:Infineon Technologies,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S4L05ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S4L05ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S4L-05
IPB80N06S4L-05-ND
SP000415570
品牌:Infineon Technologies,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S4L07ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S4L07ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S4L-07
IPB80N06S4L-07-ND
SP000415572
品牌:Infineon Technologies,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB90N06S404ATMA1
仓库库存编号:
IPB90N06S404ATMA1TR-ND
别名:IPB90N06S4-04
IPB90N06S4-04-ND
SP000379632
品牌:Infineon Technologies,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB90N06S4L04ATMA1
仓库库存编号:
IPB90N06S4L04ATMA1TR-ND
别名:IPB90N06S4L-04
IPB90N06S4L-04-ND
SP000415574
品牌:Infineon Technologies,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 68W TO263-3
详细描述:IGBT NPT 600V 12A 68W Surface Mount PG-TO263-3-2
型号:
SKB06N60HSATMA1
仓库库存编号:
SKB06N60HSATMA1TR-ND
别名:SKB06N60HS
SKB06N60HS-ND
SP000014222
品牌:Infineon Technologies,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 28A(DC) PG-TO263-3-2
型号:
IDB12E120ATMA1
仓库库存编号:
IDB12E120ATMA1TR-ND
别名:IDB12E120
IDB12E120-ND
SP000013640
品牌:Infineon Technologies,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 41A(DC) PG-TO263-3-2
型号:
IDB23E60ATMA1
仓库库存编号:
IDB23E60ATMA1TR-ND
别名:IDB23E60
IDB23E60-ND
SP000278566
品牌:Infineon Technologies,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 45A(Tc) 45W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB45N04S4L08ATMA1
仓库库存编号:
IPB45N04S4L08ATMA1TR-ND
别名:IPB45N04S4L-08
IPB45N04S4L-08-ND
SP000711444
品牌:Infineon Technologies,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 68W TO263-3-2
详细描述:IGBT NPT 600V 12A 68W Surface Mount PG-TO263-3-2
型号:
SKB06N60ATMA1
仓库库存编号:
SKB06N60ATMA1TR-ND
别名:SKB06N60
SKB06N60-ND
SP000012427
品牌:Infineon Technologies,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB072N15N3GE8187ATMA1
仓库库存编号:
IPB072N15N3GE8187ATMA1CT-ND
别名:IPB072N15N3 G E8187CT
IPB072N15N3 G E8187CT-ND
IPB072N15N3GE8187
品牌:Infineon Technologies,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 600V 6A D2PAK
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 600V 6A(DC) PG-TO263-3-2
型号:
IDB06S60CATMA2
仓库库存编号:
IDB06S60CATMA2-ND
别名:SP001139900
品牌:Infineon Technologies,规格:供应商器件封装 PG-TO263-3-2,
无铅
搜索
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号