规格:供应商器件封装 TO-3P,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 170A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 170A(Tc) 715W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ170N10P
仓库库存编号:
IXTQ170N10P-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 60V 200A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 200A(Tc) 714W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ200N06P
仓库库存编号:
IXTQ200N06P-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 21A(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ21N50Q
仓库库存编号:
IXFQ21N50Q-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 50A(Tc) 660W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ50N60X
仓库库存编号:
IXFQ50N60X-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
IGBT 330V 180A TO3P
详细描述:IGBT 330V 180A Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ180N33TCD1
仓库库存编号:
IXGQ180N33TCD1-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 44A(Tc) 658W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ44N50P
仓库库存编号:
IXTQ44N50P-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 75A 400W TO3P
详细描述:IGBT 1200V 75A 400W Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ35N120BD1
仓库库存编号:
IXGQ35N120BD1-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 250V 100A(Tc) 600W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ100N25P
仓库库存编号:
IXTQ100N25P-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 120A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 200V 120A(Tc) 714W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ120N20P
仓库库存编号:
IXTQ120N20P-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 150A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 150V 150A(Tc) 714W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ150N15P
仓库库存编号:
IXTQ150N15P-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 26A(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ26N50Q
仓库库存编号:
IXFQ26N50Q-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-30
详细描述:通孔 N 沟道 500V 26A(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ26N50
仓库库存编号:
IXFQ26N50-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 24A(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ24N50Q
仓库库存编号:
IXFQ24N50Q-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 240A 500W TO3P
详细描述:IGBT 300V 240A 500W Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ240N30PB
仓库库存编号:
IXGQ240N30PB-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 60A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 60A(Tc) 890W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ60N60X
仓库库存编号:
IXFQ60N60X-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 30A(Tc) 400W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ30N50L
仓库库存编号:
IXTQ30N50L-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 30A(Tc) 400W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ30N50L2
仓库库存编号:
IXTQ30N50L2-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30A(Tc) 540W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ30N60L2
仓库库存编号:
IXTQ30N60L2-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 40A(Tc) 500W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ40N50Q
仓库库存编号:
IXTQ40N50Q-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 600V 20A
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 600V 10A (DC) Through Hole TO-220-3 Full Pack
型号:
RJS6004WDPK-00#T0
仓库库存编号:
RJS6004WDPK-00#T0-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 600V 30A
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 600V 15A (DC) Through Hole TO-3P-3, SC-65-3
型号:
RJS6005WDPK-00#T0
仓库库存编号:
RJS6005WDPK-00#T0-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS NPN 140V 10A TO-3P
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 140V 10A 20MHz 100W Through Hole TO-3P
型号:
2STC4468
仓库库存编号:
497-7057-5-ND
别名:2STC4468-ND
497-7057-5
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS NPN 100V 25A TO-3P
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 25A 20MHz 125W Through Hole TO-3P
型号:
2STC2510
仓库库存编号:
497-6956-5-ND
别名:497-6956-5
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS PNP 100V 25A TO-3P
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 25A 20MHz 125W Through Hole TO-3P
型号:
2STA2510
仓库库存编号:
497-6955-5-ND
别名:497-6955-5
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS PNP 140V 10A TO-3P
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 140V 10A 20MHz 100W Through Hole TO-3P
型号:
2STA1695
仓库库存编号:
497-7054-5-ND
别名:2STA1695-ND
497-7054-5
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无铅
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