规格:供应商器件封装 TO-3P,
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Sanken
MOSFET N-CH 330V 30A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Ta) 85W(Tc) TO-3P
型号:
FKP330C
仓库库存编号:
FKP330C-ND
别名:FKP330C DK
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 40A 190W TO3P
详细描述:IGBT Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ20N120BD1
仓库库存编号:
IXGQ20N120BD1-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Renesas Electronics America
TRIAC 600V 30A TO3P
详细描述:TRIAC Standard 600V Through Hole TO-3P
型号:
BCR30AM-12LB#B00
仓库库存编号:
BCR30AM-12LB#B00-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1317-E
仓库库存编号:
2SK1317-E-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 25A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Ta) 150W(Ta) TO-3P
型号:
RJK5015DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK5015DPK-00#T0-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 600W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ120N15P
仓库库存编号:
IXTQ120N15P-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 140A(Tc) 600W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ140N10P
仓库库存编号:
IXTQ140N10P-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 82A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 82A(Tc) 500W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ82N25P
仓库库存编号:
IXTQ82N25P-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 96A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 96A(Tc) 600W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ96N20P
仓库库存编号:
IXTQ96N20P-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 50A 250W TO3P
详细描述:IGBT Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ28N120BD1
仓库库存编号:
IXGQ28N120BD1-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 460W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ30N50P
仓库库存编号:
IXTQ30N50P-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 26A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 460W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ26N60P
仓库库存编号:
IXTQ26N60P-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 120A TO3P
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ120N30TCD1
仓库库存编号:
IXGQ120N30TCD1-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
IGBT 320V 96A TO3P
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ96N30TBD1
仓库库存编号:
IXGQ96N30TBD1-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
IGBT 320V 96A TO3P
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ96N30TCD1
仓库库存编号:
IXGQ96N30TCD1-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 42A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 830W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ470P2
仓库库存编号:
IXTQ470P2-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 90A 300W TO3P
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-3P
型号:
RJH60D7DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60D7DPK-00#T0-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 540W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ30N60P
仓库库存编号:
IXTQ30N60P-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 90A 300W TO-3P
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-3P
型号:
RJH60D7ADPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60D7ADPK-00#T0-ND
别名:RJH60D7ADPK00T0
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IGBT 300V 150A TO3P
详细描述:IGBT Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ150N30TCD1
仓库库存编号:
IXGQ150N30TCD1-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
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MOSFET N-CH 500V 52A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 52A(Tc) 960W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ480P2
仓库库存编号:
IXTQ480P2-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
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MOSFET N-CH 300V 69A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 69A(Tc) 500W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ69N30P
仓库库存编号:
IXTQ69N30P-ND
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IGBT 300V 400A TO3P
详细描述:IGBT Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ200N30PB
仓库库存编号:
IXGQ200N30PB-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
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MOSFET N-CH 150V 88A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 88A(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ88N15
仓库库存编号:
IXTQ88N15-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Ta) 125W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1835-E
仓库库存编号:
2SK1835-E-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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