规格:供应商器件封装 TO-3P,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 360W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ75N10P
仓库库存编号:
IXTQ75N10P-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
IGBT 600V 45A 140W TO-3P
详细描述:IGBT Through Hole TO-3P
型号:
RJP60D0DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJP60D0DPK-00#T0-ND
别名:RJP60D0DPK00T0
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Diodes Incorporated
DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO3P
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 60A Through Hole TO-3P-3, SC-65-3
型号:
MBR6030PT
仓库库存编号:
MBR6030PT-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
搜索
IXYS
DIODE ARRAY GP 300V 30A TO3P
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 30A Through Hole TO-3P-3, SC-65-3
型号:
DPG60C300QB
仓库库存编号:
DPG60C300QB-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
搜索
IXYS
DIODE ARRAY GP 400V 30A TO3P
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 30A Through Hole TO-3P-3, SC-65-3
型号:
DPG60C400QB
仓库库存编号:
DPG60C400QB-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
详细描述:IGBT NPT and Trench Through Hole TO-3P
型号:
FGA50N100BNTDTU
仓库库存编号:
FGA50N100BNTDTU-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Diodes Incorporated
DIODE ARRAY SCHOTTKY 35V TO3P
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 60A Through Hole TO-3P-3, SC-65-3
型号:
MBR6035PT
仓库库存编号:
MBR6035PT-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT 1250V 60A 375W TO-3P
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-3P
型号:
STGWT28IH125DF
仓库库存编号:
497-14562-5-ND
别名:497-14562-5
STGWT28IH125DF-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 455W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ90N15T
仓库库存编号:
IXTQ90N15T-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 44A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 44A(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ44N30T
仓库库存编号:
IXTQ44N30T-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 62A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 62A(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ62N25T
仓库库存编号:
IXTQ62N25T-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 72A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 72A(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ72N20T
仓库库存编号:
IXTQ72N20T-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 60A 480W TO3PN
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-3P
型号:
FGA30N60LSDTU
仓库库存编号:
FGA30N60LSDTUFS-ND
别名:FGA30N60LSDTU-ND
FGA30N60LSDTUFS
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 18A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 360W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ18N60P
仓库库存编号:
IXTQ18N60P-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
500V POLAR2 HIPERFETS
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 480W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ24N50P2
仓库库存编号:
IXFQ24N50P2-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
不适用
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 360W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ12N80P
仓库库存编号:
IXFQ12N80P-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
DIODE ARRAY GP 300V 30A TO3P
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 30A Through Hole TO-3P-3, SC-65-3
型号:
DSEC59-03AQ
仓库库存编号:
DSEC59-03AQ-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 50A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 400W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ50N25T
仓库库存编号:
IXTQ50N25T-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
DIODE GEN PURP 600V 30A TO3P
详细描述:标准 通孔 二极管 30A TO-3P
型号:
DHF30IM600QB
仓库库存编号:
DHF30IM600QB-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 50A 201.6W TO-3P
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-3P
型号:
RJH60F0DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJH60F0DPK-00#T0-ND
别名:RJH60F0DPK00T0
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 250V 50A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Ta) 85W(Tc) TO-3P
型号:
FKP250A
仓库库存编号:
FKP250A-ND
别名:FKP250A DK
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
DIODE ARRAY GP 200V 30A TO3P
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 30A Through Hole TO-3P-3, SC-65-3
型号:
DPG60C200QB
仓库库存编号:
DPG60C200QB-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 54A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 54A(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ54N30T
仓库库存编号:
IXTQ54N30T-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 76A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 76A(Tc) 460W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ76N25T
仓库库存编号:
IXTQ76N25T-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 86A(Tc) 480W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ86N20T
仓库库存编号:
IXTQ86N20T-ND
规格:供应商器件封装 TO-3P,
无铅
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