规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini
型号：
RN1412TE85LF
仓库库存编号：
RN1412TE85LFCT-ND
别名：RN1412TE85LFCT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN1902T5LFT
仓库库存编号：
RN1902T5LFTCT-ND
别名：RN1902T5LFTCT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2905T5LFT
仓库库存编号：
RN2905T5LFTCT-ND
别名：RN2905T5LFTCT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
HN1C01FE-Y,LF
仓库库存编号：
HN1C01FE-YLFCT-ND
别名：HN1C01FE-Y(T5LFTCT
HN1C01FE-Y(T5LFTCT-ND
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
HN1B04FE-GR,LF
仓库库存编号：
HN1B04FE-GRLFCT-ND
别名：HN1B04FE-GR(5LFTCT
HN1B04FE-GR(5LFTCT-ND
HN1B04FE-GRLF(TCT
HN1B04FE-GRLF(TCT-ND
HN1B04FE-GRLFCT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PNP 50V 0.15A SOT-523
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 150mA 140MHz 150mW Surface Mount SOT-523
型号：
2DA1774R-7
仓库库存编号：
2DA1774RDICT-ND
别名：2DA1774R7
2DA1774RDICT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
含铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 500mA 200MHz 150mW Surface Mount S-Mini
型号：
2SA1182-Y,LF
仓库库存编号：
2SA1182-YLFCT-ND
别名：2SA1182-Y(TE85LF)CT
2SA1182-Y(TE85LF)CT-ND
2SA1182-YLF(BCT
2SA1182-YLF(BCT-ND
2SA1182-YLFCT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN 80V 1A SOT-223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 130MHz 1.5W Surface Mount SOT-223
型号：
BCP56-10T1G
仓库库存编号：
BCP56-10T1GOSCT-ND
别名：BCP56-10T1GOSCT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 50V 0.1A CST3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 60MHz 100mW Surface Mount CST3
型号：
2SC6026CT-Y(TPL3)
仓库库存编号：
2SC6026CT-Y(TPL3)CT-ND
别名：2SC6026CT-Y(TPL3)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN1964TE85LF
仓库库存编号：
RN1964TE85LFCT-ND
别名：RN1964TE85LFCT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PNP 60V 0.5A SC70-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 500mA 50MHz 200mW Surface Mount SOT-323
型号：
MMSTA55-7
仓库库存编号：
MMSTA55DICT-ND
别名：MMSTA55
MMSTA557
MMSTA55CT
MMSTA55CT-ND
MMSTA55DICT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
含铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
HN1A01FE-Y,LF
仓库库存编号：
HN1A01FE-YLFCT-ND
别名：HN1A01FE-Y(T5LFTCT
HN1A01FE-Y(T5LFTCT-ND
HN1A01FE-YLF(BCT
HN1A01FE-YLF(BCT-ND
HN1A01FE-YLFCT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 800MHz 300mW Surface Mount SM6
型号：
HN1C01F-GR(TE85L,F
仓库库存编号：
HN1C01F-GR(TE85LFCT-ND
别名：HN1C01F-GR(TE85LF)CT
HN1C01F-GR(TE85LF)CT-ND
HN1C01F-GR(TE85LFCT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号：
RN1110ACT(TPL3)
仓库库存编号：
RN1110ACT(TPL3)CT-ND
别名：RN1110ACT(TPL3)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号：
RN1113ACT(TPL3)
仓库库存编号：
RN1113ACT(TPL3)CT-ND
别名：RN1113ACT(TPL3)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号：
RN1112ACT(TPL3)
仓库库存编号：
RN1112ACT(TPL3)CT-ND
别名：RN1112ACT(TPL3)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN2906FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2906FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN2906FE(TE85LF)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN1909FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1909FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN1909FE(TE85LF)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN2911FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2911FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN2911FE(TE85LF)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN2901FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2901FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN2901FE(TE85LF)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN1908(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN1908(T5LFT)CT-ND
别名：RN1908(T5LFT)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
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TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN1909(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN1909(T5LFT)CT-ND
别名：RN1909(T5LFT)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 120MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
HN1B01FU-Y(L,F,T)
仓库库存编号：
HN1B01FU-Y(LFT)CT-ND
别名：HN1B01FU-Y(LFT)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN1910FE(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN1910FE(T5LFT)CT-ND
别名：RN1910FE(T5LFT)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
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TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
HN1C01FU-Y(T5L,F,T
仓库库存编号：
HN1C01FU-Y(T5LFTCT-ND
别名：HN1C01FU-Y(T5LFTCT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
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