规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
型号：
RN1113(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN1113(T5LFT)CT-ND
别名：RN1113(T5LFT)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号：
RN2110ACT(TPL3)
仓库库存编号：
RN2110ACT(TPL3)CT-ND
别名：RN2110ACT(TPL3)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号：
RN2111ACT(TPL3)
仓库库存编号：
RN2111ACT(TPL3)CT-ND
别名：RN2111ACT(TPL3)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号：
RN2112ACT(TPL3)
仓库库存编号：
RN2112ACT(TPL3)CT-ND
别名：RN2112ACT(TPL3)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号：
RN2113ACT(TPL3)
仓库库存编号：
RN2113ACT(TPL3)CT-ND
别名：RN2113ACT(TPL3)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN1908FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1908FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN1908FE(TE85LF)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN2903FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2903FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN2903FE(TE85LF)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN2908FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2908FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN2908FE(TE85LF)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN2909FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2909FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN2909FE(TE85LF)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
型号：
RN2709JE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2709JE(TE85LF)CT-ND
别名：RN2709JE(TE85LF)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
型号：
RN2711JE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2711JE(TE85LF)CT-ND
别名：RN2711JE(TE85LF)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
型号：
RN2712JE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2712JE(TE85LF)CT-ND
别名：RN2712JE(TE85LF)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
型号：
RN2713JE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2713JE(TE85LF)CT-ND
别名：RN2713JE(TE85LF)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV
型号：
RN1509(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1509(TE85LF)CT-ND
别名：RN1509(TE85LF)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV
型号：
RN2510(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2510(TE85LF)CT-ND
别名：RN2510(TE85LF)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV
型号：
RN2511(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2511(TE85LF)CT-ND
别名：RN2511(TE85LF)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
型号：
RN1611(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1611(TE85LF)CT-ND
别名：RN1611(TE85LF)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN1963(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1963(TE85LF)CT-ND
别名：RN1963(TE85LF)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN1968(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1968(TE85LF)CT-ND
别名：RN1968(TE85LF)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN1970(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1970(TE85LF)CT-ND
别名：RN1970(TE85LF)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
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TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200mW Surface Mount US6
型号：
RN1973(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN1973(TE85LF)CT-ND
别名：RN1973(TE85LF)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
型号：
RN2603(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2603(TE85LF)CT-ND
别名：RN2603(TE85LF)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
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TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
型号：
RN2604(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2604(TE85LF)CT-ND
别名：RN2604(TE85LF)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
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TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2967(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2967(TE85LF)CT-ND
别名：RN2967(TE85LF)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
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TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2969(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2969(TE85LF)CT-ND
别名：RN2969(TE85LF)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
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