以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 50MA 150V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 150V 50mA 120MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SA949-Y,F(J
  仓库库存编号：2SA949-YF(J-ND
  别名：2SA949-YF(J
  2SA949YFJ
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 50MA 150V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 150V 50mA 120MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SA949-Y,ONK-1F(J
  仓库库存编号：2SA949-YONK-1F(J-ND
  别名：2SA949-YONK-1F(J
  2SA949YONK1FJ
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 50MA 150V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 150V 50mA 120MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SA949-Y,ONK-1F(M
  仓库库存编号：2SA949-YONK-1F(M-ND
  别名：2SA949-YONK-1F(M
  2SA949YONK1FM
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
  
  型号：2SA965-O(TE6,F,M)
  仓库库存编号：2SA965-O(TE6FM)-ND
  别名：2SA965-O(TE6FM)
  2SA965OTE6FM
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
  
  型号：2SA965-O,F(J
  仓库库存编号：2SA965-OF(J-ND
  别名：2SA965-OF(J
  2SA965OFJ
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
  
  型号：2SA965-Y(F,M)
  仓库库存编号：2SA965-Y(FM)-ND
  别名：2SA965-Y(FM)
  2SA965YFM
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
  
  型号：2SA965-Y(T6CANO,FM
  仓库库存编号：2SA965-Y(T6CANOFM-ND
  别名：2SA965-Y(T6CANOFM
  2SA965YT6CANOFM
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
  
  型号：2SA965-Y,F(J
  仓库库存编号：2SA965-YF(J-ND
  别名：2SA965-YF(J
  2SA965YFJ
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
  
  型号：2SA965-Y,SWFF(M
  仓库库存编号：2SA965-YSWFF(M-ND
  别名：2SA965-YSWFF(M
  2SA965YSWFFM
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
  
  型号：2SA965-Y,T6F(J
  仓库库存编号：2SA965-YT6F(J-ND
  别名：2SA965-YT6F(J
  2SA965YT6FJ
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole LSTM
  
  型号：2SA965-Y,T6KOJPF(J
  仓库库存编号：2SA965-YT6KOJPF(J-ND
  别名：2SA965-YT6KOJPF(J
  2SA965YT6KOJPFJ
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN 400MA 80V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 400mA 100MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SC1627A-O,PASF(M
  仓库库存编号：2SC1627A-OPASF(M-ND
  别名：2SC1627A-OPASF(M
  2SC1627AOPASFM
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN 400MA 80V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 400mA 100MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SC1627A-Y,PASF(M
  仓库库存编号：2SC1627A-YPASF(M-ND
  别名：2SC1627A-YPASF(M
  2SC1627AYPASFM
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN 50MA 150V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 50mA 120MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SC2229(TE6SAN1F,M
  仓库库存编号：2SC2229(TE6SAN1FM-ND
  别名：2SC2229(TE6SAN1FM
  2SC2229TE6SAN1FM
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN 50MA 150V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 50mA 120MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SC2229-O(MIT1F,M)
  仓库库存编号：2SC2229-O(MIT1FM)-ND
  别名：2SC2229-O(MIT1FM)
  2SC2229OMIT1FM
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN 50MA 150V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 50mA 120MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SC2229-O(MITIF,M)
  仓库库存编号：2SC2229-O(MITIFM)-ND
  别名：2SC2229-O(MITIFM)
  2SC2229OMITIFM
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN 50MA 150V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 50mA 120MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SC2229-O(SHP,F,M)
  仓库库存编号：2SC2229-O(SHPFM)-ND
  别名：2SC2229-O(SHPFM)
  2SC2229OSHPFM
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN 50MA 150V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 50mA 120MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SC2229-O(SHP1,F,M
  仓库库存编号：2SC2229-O(SHP1FM-ND
  别名：2SC2229-O(SHP1FM
  2SC2229OSHP1FM
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN 50MA 150V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 50mA 120MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SC2229-O(T6MIT1FM
  仓库库存编号：2SC2229-O(T6MIT1FM-ND
  别名：2SC2229OT6MIT1FM
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN 50MA 150V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 50mA 120MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SC2229-O(T6SAN2FM
  仓库库存编号：2SC2229-O(T6SAN2FM-ND
  别名：2SC2229OT6SAN2FM
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN 50MA 150V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 50mA 120MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SC2229-O(T6SHP1FM
  仓库库存编号：2SC2229-O(T6SHP1FM-ND
  别名：2SC2229OT6SHP1FM
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN 50MA 150V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 50mA 120MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SC2229-O(TE6,F,M)
  仓库库存编号：2SC2229-O(TE6FM)-ND
  别名：2SC2229-O(TE6FM)
  2SC2229OTE6FM
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN 50MA 150V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 50mA 120MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SC2229-Y(MIT,F,M)
  仓库库存编号：2SC2229-Y(MITFM)-ND
  别名：2SC2229-Y(MITFM)
  2SC2229YMITFM
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN 50MA 150V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 50mA 120MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SC2229-Y(MIT1,F,M
  仓库库存编号：2SC2229-Y(MIT1FM-ND
  别名：2SC2229-Y(MIT1FM
  2SC2229YMIT1FM
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  TRANS NPN 50MA 150V TO226-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 50mA 120MHz 800mW Through Hole TO-92MOD
  
  型号：2SC2229-Y(SAN2,F,M
  仓库库存编号：2SC2229-Y(SAN2FM-ND
  别名：2SC2229-Y(SAN2FM
  2SC2229YSAN2FM
  
  规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
• 无铅
• 搜索