规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(4066)
分立半导体产品
(4066)
筛选品牌
Central Semiconductor Corp(68)
Comchip Technology(7)
Diodes Incorporated(459)
Fairchild/Micross Components(967)
Fairchild/ON Semiconductor(242)
Infineon Technologies(385)
Kionix Inc.(73)
Micro Commercial Co(24)
Microsemi Corporation(9)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(4)
Nexperia USA Inc.(392)
NXP USA Inc.(86)
ON Semiconductor(401)
Panasonic - ATG(54)
Panasonic - BSG(17)
Panasonic - DTG(6)
Panasonic Electric Works(4)
Panasonic Electronic Components(43)
Panasonic Industrial Automation Sales(114)
Renesas Electronics America(1)
Rohm Semiconductor(163)
STMicroelectronics(73)
Taiwan Semiconductor Corporation(67)
Toshiba Semiconductor and Storage(406)
Vishay Beyschlag(1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN2970FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2970FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN2970FE(TE85LF)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
RN2971FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
RN2971FE(TE85LF)CT-ND
别名：RN2971FE(TE85LF)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2901(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN2901(T5LFT)CT-ND
别名：RN2901(T5LFT)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2902(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN2902(T5LFT)CT-ND
别名：RN2902(T5LFT)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2904(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN2904(T5LFT)CT-ND
别名：RN2904(T5LFT)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2906(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN2906(T5LFT)CT-ND
别名：RN2906(T5LFT)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2907(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN2907(T5LFT)CT-ND
别名：RN2907(T5LFT)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2908(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN2908(T5LFT)CT-ND
别名：RN2908(T5LFT)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2909(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN2909(T5LFT)CT-ND
别名：RN2909(T5LFT)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2910(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN2910(T5LFT)CT-ND
别名：RN2910(T5LFT)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN2911(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN2911(T5LFT)CT-ND
别名：RN2911(T5LFT)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4903(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN4903(T5LFT)CT-ND
别名：RN4903(T5LFT)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4907(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN4907(T5LFT)CT-ND
别名：RN4907(T5LFT)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4908(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN4908(T5LFT)CT-ND
别名：RN4908(T5LFT)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4909(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN4909(T5LFT)CT-ND
别名：RN4909(T5LFT)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4910(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN4910(T5LFT)CT-ND
别名：RN4910(T5LFT)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN4911(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN4911(T5LFT)CT-ND
别名：RN4911(T5LFT)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号：
RN49A1(T5L,F,T)
仓库库存编号：
RN49A1(T5LFT)CT-ND
别名：RN49A1(T5LFT)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 60MHz 100mW Surface Mount ES6
型号：
HN2C01FE-GR(T5L,F)
仓库库存编号：
HN2C01FE-GR(T5LF)CT-ND
别名：HN2C01FE-GR(T5LF)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 500mA 300MHz 150mW Surface Mount S-Mini
型号：
2SC2859-GR(TE85L,F
仓库库存编号：
2SC2859-GR(TE85LFCT-ND
别名：2SC2859-GR(TE85LFCT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 500mA 300MHz 150mW Surface Mount S-Mini
型号：
2SC2859-O(TE85L,F)
仓库库存编号：
2SC2859-O(TE85LF)CT-ND
别名：2SC2859-O(TE85LF)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
型号：
RN1110CT(TPL3)
仓库库存编号：
RN1110CT(TPL3)CT-ND
别名：RN1110CT(TPL3)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
型号：
RN1111CT(TPL3)
仓库库存编号：
RN1111CT(TPL3)CT-ND
别名：RN1111CT(TPL3)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
型号：
RN1112CT(TPL3)
仓库库存编号：
RN1112CT(TPL3)CT-ND
别名：RN1112CT(TPL3)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
型号：
RN1113CT(TPL3)
仓库库存编号：
RN1113CT(TPL3)CT-ND
别名：RN1113CT(TPL3)CT
规格：电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）,
无铅
搜索
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
