规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 48A Surface Mount Die
型号：
IRGC4263B
仓库库存编号：
IRGC4263B-ND
别名：SP001545994
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V 50A SGL TO-247-4
详细描述：IGBT Trench 650V 85A 273W Through Hole PG-TO247-4
型号：
IGZ50N65H5XKSA1
仓库库存编号：
IGZ50N65H5XKSA1-ND
别名：IGZ50N65H5
SP001160052
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V 75A SGL TO-247-4
详细描述：IGBT Trench 650V 119A 395W Through Hole PG-TO247-4
型号：
IGZ75N65H5XKSA1
仓库库存编号：
IGZ75N65H5XKSA1-ND
别名：IGZ75N65H5
SP001160054
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V TO220-3
详细描述：IGBT Trench 650V 55A 188W Through Hole PG-TO-220-3
型号：
IKP30N65F5XKSA1
仓库库存编号：
IKP30N65F5XKSA1-ND
别名：SP001133082
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V 30A UFAST DIO TO247-3
详细描述：IGBT 650V 85A 227W Through Hole PG-TO247-3
型号：
IKW30N65NL5XKSA1
仓库库存编号：
IKW30N65NL5XKSA1IN-ND
别名：IKW30N65NL5XKSA1IN
SP001174466
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
详细描述：IGBT Trench 650V 80A 274W Through Hole PG-TO247-4
型号：
IKZ50N65ES5XKSA1
仓库库存编号：
IKZ50N65ES5XKSA1-ND
别名：SP001636074
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V TO247-3
详细描述：IGBT Trench 650V 74A 250W Through Hole PG-TO247-3
型号：
IGW40N65F5AXKSA1
仓库库存编号：
IGW40N65F5AXKSA1-ND
别名：SP001187504
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V TO247-3
详细描述：IGBT Trench 650V 74A 250W Through Hole PG-TO247-3
型号：
IGW40N65H5AXKSA1
仓库库存编号：
IGW40N65H5AXKSA1-ND
别名：SP001187510
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V TO247-3
详细描述：IGBT Trench 650V 80A 270W Through Hole PG-TO247-3
型号：
IGW50N65F5AXKSA1
仓库库存编号：
IGW50N65F5AXKSA1-ND
别名：SP001187514
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V TO247-3
详细描述：IGBT Trench 650V 80A 270W Through Hole PG-TO247-3
型号：
IGW50N65H5AXKSA1
仓库库存编号：
IGW50N65H5AXKSA1-ND
别名：SP001187520
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
详细描述：IGBT Trench 650V 74A 250W Through Hole PG-TO247-3
型号：
IKW40N65F5AXKSA1
仓库库存编号：
IKW40N65F5AXKSA1-ND
别名：SP001187508
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
详细描述：IGBT Trench 650V 74A 250W Through Hole PG-TO247-3
型号：
IKW40N65H5AXKSA1
仓库库存编号：
IKW40N65H5AXKSA1-ND
别名：SP001187512
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V 90A 300W TO-247
详细描述：IGBT 650V 90A 300W Through Hole TO-247AD
型号：
IRGP4263-EPBF
仓库库存编号：
IRGP4263-EPBF-ND
别名：SP001536290
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT TRENCH 650V 80A TO247-4
详细描述：IGBT Trench 650V 80A 395W Through Hole PG-TO247-4
型号：
IKZ75N65ES5XKSA1
仓库库存编号：
IKZ75N65ES5XKSA1-ND
别名：SP001602592
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
详细描述：IGBT Trench 650V 80A 270W Through Hole PG-TO247-3
型号：
IKW50N65F5AXKSA1
仓库库存编号：
IKW50N65F5AXKSA1-ND
别名：SP001187518
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
详细描述：IGBT Trench 650V 80A 270W Through Hole PG-TO247-3
型号：
IKW50N65H5AXKSA1
仓库库存编号：
IKW50N65H5AXKSA1-ND
别名：SP001187522
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V TO-247
详细描述：IGBT 650V 140A 455W Through Hole TO-247AD
型号：
IRGP4790D-EPBF
仓库库存编号：
IRGP4790D-EPBF-ND
别名：SP001542360
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS NPN 650V 3A TO-220
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 650V 3A 80W Through Hole TO-220AB
型号：
BUL1403ED
仓库库存编号：
BUL1403ED-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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IXYS
IGBT 650V 290A 940W TO264
详细描述：IGBT PT 650V 290A 940W Through Hole TO-264 (IXXK)
型号：
IXXK160N65C4
仓库库存编号：
IXXK160N65C4-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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IXYS
IGBT 650V 290A 940W PLUS247
详细描述：IGBT PT 650V 290A 940W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXXX160N65C4
仓库库存编号：
IXXX160N65C4-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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Microsemi Corporation
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
详细描述：IGBT NPT 650V 135A 446W Chassis Mount SOT-227
型号：
APT95GR65JDU60
仓库库存编号：
APT95GR65JDU60-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
IGBT DF400R07PE4RB6BOSA1
详细描述：IGBT Module NPT Single Chopper 650V 450A 1100W Chassis Mount Module
型号：
DF400R07PE4R_B6
仓库库存编号：
DF400R07PE4R_B6-ND
别名：SP000986082
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V 250A 790W
详细描述：IGBT Module Three Phase Inverter 650V 250A 790W Chassis Mount Module
型号：
FS200R07A1E3BOSA1
仓库库存编号：
FS200R07A1E3BOSA1-ND
别名：FS200R07A1E3
FS200R07A1E3-ND
FS200R07A1E3HOSA1
SP000663442
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V 500A 1250W
详细描述：IGBT Module Three Phase Inverter 650V 500A 1250W Surface Mount Module
型号：
FS400R07A1E3BOSA1
仓库库存编号：
FS400R07A1E3BOSA1-ND
别名：FS400R07A1E3
FS400R07A1E3-ND
FS400R07A1E3HOSA1
SP000663446
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V 90A 300W TO-247
详细描述：IGBT 650V 90A 300W Through Hole TO-247AC
型号：
IRGP4263PBF
仓库库存编号：
IRGP4263PBF-ND
规格：Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V,
无铅
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