规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 50MA 600V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 600V 50mA 900mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SC5201(T6MURATAFM
仓库库存编号:
2SC5201(T6MURATAFM-ND
别名:2SC5201T6MURATAFM
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 50MA 600V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 600V 50mA 900mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SC5201(TE6,F,M)
仓库库存编号:
2SC5201(TE6FM)-ND
别名:2SC5201(TE6FM)
2SC5201TE6FM
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 50MA 600V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 600V 50mA 900mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SC5201,F(J
仓库库存编号:
2SC5201F(J-ND
别名:2SC5201F(J
2SC5201FJ
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 50MA 600V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 600V 50mA 900mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SC5201,T6F(J
仓库库存编号:
2SC5201T6F(J-ND
别名:2SC5201T6F(J
2SC5201T6FJ
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 50MA 600V TO226-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 600V 50mA 900mW Through Hole TO-92MOD
型号:
2SC5201,T6MURAF(J
仓库库存编号:
2SC5201T6MURAF(J-ND
别名:2SC5201T6MURAF(J
2SC5201T6MURAFJ
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 1A 600V SC71
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 600V 1A 1W Through Hole MSTM
型号:
2SC5930(T2MITUM,FM
仓库库存编号:
2SC5930(T2MITUMFM-ND
别名:2SC5930(T2MITUMFM
2SC5930T2MITUMFM
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 1A 600V SC71
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 600V 1A 1W Through Hole MSTM
型号:
2SC5930(TPF2,F,M)
仓库库存编号:
2SC5930(TPF2FM)-ND
别名:2SC5930(TPF2FM)
2SC5930TPF2FM
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN 1A 600V SC71
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 600V 1A 1W Through Hole MSTM
型号:
2SC6010(T2MITUM,FM
仓库库存编号:
2SC6010(T2MITUMFM-ND
别名:2SC6010(T2MITUMFM
2SC6010T2MITUMFM
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT W/DIODE 600V 40A TO-247AC
详细描述:IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGPC40UD2
仓库库存编号:
IRGPC40UD2-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT W/DIODE 600V 23A TO-220AB
详细描述:IGBT 600V 23A 100W Through Hole TO-220AB
型号:
IRGBC30UD2
仓库库存编号:
IRGBC30UD2-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT W/DIODE 600V 16A TO-220AB
详细描述:IGBT 600V 16A Through Hole TO-220AB
型号:
IRGBC20FD2
仓库库存编号:
IRGBC20FD2-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT FAST 600V 70A TO-247AC
详细描述:IGBT 600V 70A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGPC50F
仓库库存编号:
IRGPC50F-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT STD 600V 50A TO-220AB
详细描述:IGBT 600V 50A 160W Through Hole TO-220AB
型号:
IRGBC40S
仓库库存编号:
IRGBC40S-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT STD 600V 34A TO-220AB
详细描述:IGBT 600V 34A 100W Through Hole TO-220AB
型号:
IRGBC30S
仓库库存编号:
IRGBC30S-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT W/DIODE 600V 55A TO-247AC
详细描述:IGBT 600V 55A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGPC50UD2
仓库库存编号:
IRGPC50UD2-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT W/DIODE 600V 70A TO-247AC
详细描述:IGBT 600V 70A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGPC50FD2
仓库库存编号:
IRGPC50FD2-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT W/DIODE 600V 49A TO-247AC
详细描述:IGBT 600V 49A 160W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGPC40FD2
仓库库存编号:
IRGPC40FD2-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT W/DIODE 600V 31A TO-247AC
详细描述:IGBT 600V 31A 100W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGPC30FD2
仓库库存编号:
IRGPC30FD2-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT W/DIODE 600V 13A TO-220AB
详细描述:IGBT 600V 13A 60W Through Hole TO-220AB
型号:
IRGBC20UD2
仓库库存编号:
IRGBC20UD2-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT W/DIODE 600V 31A TO-220AB
详细描述:IGBT 600V 31A 100W Through Hole TO-220AB
型号:
IRGBC30FD2
仓库库存编号:
IRGBC30FD2-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT UFAST 600V 55A TO-247AC
详细描述:IGBT 600V 55A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGPC50U
仓库库存编号:
IRGPC50U-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT UFAST 600V 40A TO-247AC
详细描述:IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGPC40U
仓库库存编号:
IRGPC40U-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT STD 600V 50A TO-247AC
详细描述:IGBT 600V 50A 160W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGPC40S
仓库库存编号:
IRGPC40S-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT UFAST 600V 40A TO-220AB
详细描述:IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-220AB
型号:
IRGBC40U
仓库库存编号:
IRGBC40U-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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IGBT UFAST 600V 23A TO-220AB
详细描述:IGBT 600V 23A 100W Through Hole TO-220AB
型号:
IRGBC30U
仓库库存编号:
IRGBC30U-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V,
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