规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
TRANS PNP 300V 1A E-LINE
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 85MHz Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
型号:
ZTX957STZ
仓库库存编号:
ZTX957STZ-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 300V 46.8W TO220F
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-220F
型号:
FGPF50N30TTU
仓库库存编号:
FGPF50N30TTU-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 50MHz Through Hole TO-18
型号:
2N6433
仓库库存编号:
2N6433-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V,
搜索
Central Semiconductor Corp
THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 15MHz Through Hole TO-39
型号:
2N5416
仓库库存编号:
2N5416CS-ND
别名:2N5416CS
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V,
搜索
Central Semiconductor Corp
THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 50MHz Through Hole TO-18
型号:
2N6431
仓库库存编号:
2N6431-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V,
搜索
IXYS
IGBT 300V 223W TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH42N30C3
仓库库存编号:
IXGH42N30C3-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 170A 330W TO3P
详细描述:IGBT Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ170N30PB
仓库库存编号:
IXGQ170N30PB-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 223W TO263AA
详细描述:IGBT PT Surface Mount TO-263 (IXGA)
型号:
IXGA42N30C3
仓库库存编号:
IXGA42N30C3-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 223W TO220AB
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP42N30C3
仓库库存编号:
IXGP42N30C3-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 75A 333W TO247AD
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH85N30C3
仓库库存编号:
IXGH85N30C3-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 75A 300W TO247AD
详细描述:IGBT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH60N30C3
仓库库存编号:
IXGH60N30C3-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 75A 460W TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH100N30C3
仓库库存编号:
IXGH100N30C3-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 120A TO3P
详细描述:IGBT Trench Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ120N30TCD1
仓库库存编号:
IXGQ120N30TCD1-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 75A 540W TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH120N30B3
仓库库存编号:
IXGH120N30B3-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 75A 540W TO247
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH120N30C3
仓库库存编号:
IXGH120N30C3-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 150A TO3P
详细描述:IGBT Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ150N30TCD1
仓库库存编号:
IXGQ150N30TCD1-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 400A TO3P
详细描述:IGBT Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ200N30PB
仓库库存编号:
IXGQ200N30PB-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V,
无铅
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IGBT 300V 240A 500W TO3P
详细描述:IGBT 300V 240A 500W Through Hole TO-3P
型号:
IXGQ240N30PB
仓库库存编号:
IXGQ240N30PB-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 48A TO247AD
详细描述:IGBT 300V 48A Through Hole TO-247AD (IXGH)
型号:
IXGH240N30PB
仓库库存编号:
IXGH240N30PB-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 400A 1000W PLUS247
详细描述:IGBT PT 300V 400A 1000W Through Hole PLUS247?-3
型号:
IXGX400N30A3
仓库库存编号:
IXGX400N30A3-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 400A 1000W TO264AA
详细描述:IGBT PT 300V 400A 1000W Through Hole TO-264 (IXGK)
型号:
IXGK400N30A3
仓库库存编号:
IXGK400N30A3-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 400A TO264AA
详细描述:IGBT 300V 400A Through Hole TO-264 (IXGK)
型号:
IXGK400N30B3
仓库库存编号:
IXGK400N30B3-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 400A TO264AA
详细描述:IGBT 300V 400A Through Hole TO-264 (IXGK)
型号:
IXGK400N30C3
仓库库存编号:
IXGK400N30C3-ND
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V,
无铅
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Microsemi Corporation
TRANS NPN 300V 5A TO-5
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 5A 1.2W Through Hole TO-5
型号:
JAN2N5667
仓库库存编号:
1086-21069-ND
别名:1086-21069
1086-21069-MIL
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V,
含铅
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Microsemi Corporation
TRANS PNP 300V 1A TO5
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 1A 750mW Through Hole TO-5
型号:
JANTX2N5416
仓库库存编号:
1086-21052-ND
别名:1086-21052
1086-21052-MIL
规格:Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V,
含铅
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