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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3
型号:
DTA143EKAT246
仓库库存编号:
DTA143EKAT246-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole SPT
型号:
DTA143ESATP
仓库库存编号:
DTA143ESATP-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole SPT
型号:
DTC143ESATP
仓库库存编号:
DTC143ESATP-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole SPT
型号:
DTC143XSATP
仓库库存编号:
DTC143XSATP-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Micro Commercial Co
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3L
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3L
型号:
DTA143EKA-TP
仓库库存编号:
DTA143EKA-TP-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 250MW SC89
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-89
型号:
PDTA143EEF,115
仓库库存编号:
568-2125-1-ND
别名:568-2125-1
PDTA143EEF115
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 250MW SC89
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-89
型号:
PDTC143EEF,115
仓库库存编号:
568-2159-1-ND
别名:568-2159-1
PDTC143EEF115
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS NPN 900V 0.1A TO-126
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 900V 100mA 6W Through Hole TO-126-3
型号:
KSC5042MSTU
仓库库存编号:
KSC5042MSTU-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS NPN 900V 0.1A TO220F
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 900V 100mA 6W Through Hole TO-220F
型号:
KSC5042FTU
仓库库存编号:
KSC5042FTU-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS NPN 900V 0.1A TO220F
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 900V 100mA 6W Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
型号:
KSC5042FYDTU
仓库库存编号:
KSC5042FYDTU-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SC-59-3
型号:
DDTA143XKA-7-F
仓库库存编号:
DDTA143XKA-7-F-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Diodes Incorporated
TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SC-59-3
型号:
DDTC143XKA-7-F
仓库库存编号:
DDTC143XKA-7-F-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
型号:
RN1117(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN1117(T5LFT)CT-ND
别名:RN1117(T5LFT)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN1961FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1961FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN1961FE(TE85LF)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN2961FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2961FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN2961FE(TE85LF)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN2901(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN2901(T5LFT)CT-ND
别名:RN2901(T5LFT)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN4901(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN4901(T5LFT)CT-ND
别名:RN4901(T5LFT)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
型号:
RN1101CT(TPL3)
仓库库存编号:
RN1101CT(TPL3)CT-ND
别名:RN1101CT(TPL3)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号:
RN1101ACT(TPL3)
仓库库存编号:
RN1101ACT(TPL3)CT-ND
别名:RN1101ACT(TPL3)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
型号:
RN2101CT(TPL3)
仓库库存编号:
RN2101CT(TPL3)CT-ND
别名:RN2101CT(TPL3)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
型号:
RN2101ACT(TPL3)
仓库库存编号:
RN2101ACT(TPL3)CT-ND
别名:RN2101ACT(TPL3)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
型号:
RN2117(T5L,F,T)
仓库库存编号:
RN2117(T5LFT)CT-ND
别名:RN2117(T5LFT)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
型号:
RN1701JE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1701JE(TE85LF)CT-ND
别名:RN1701JE(TE85LF)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号:
PDTC143EE,115
仓库库存编号:
568-11058-1-ND
别名:568-11058-1
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-75
型号:
PDTC143EE,115
仓库库存编号:
568-11058-6-ND
别名:568-11058-6
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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