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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
型号:
DTA143EMT2L
仓库库存编号:
DTA143EMT2LCT-ND
别名:DTA143EMT2LCT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3
型号:
DTA143EETL
仓库库存编号:
DTA143EETLCT-ND
别名:DTA143EETLCT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3
型号:
DTC143XETL
仓库库存编号:
DTC143XETLCT-ND
别名:DTC143XETLCT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT5
型号:
FMA7AT148
仓库库存编号:
FMA7AT148CT-ND
别名:FMA7AT148CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
TRANS PNP 45V 4A TO-126
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 4A 3MHz 36W Through Hole TO-126
型号:
BD438S
仓库库存编号:
BD438S-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SOT-323-3
型号:
PDTA143EU,115
仓库库存编号:
1727-1696-1-ND
别名:1727-1696-1
568-11235-1
568-11235-1-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SOT-323-3
型号:
PDTA143EU,115
仓库库存编号:
1727-1696-6-ND
别名:1727-1696-6
568-11235-6
568-11235-6-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
型号:
PUMD15,115
仓库库存编号:
1727-1736-1-ND
别名:1727-1736-1
568-11279-1
568-11279-1-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
型号:
PUMD15,115
仓库库存编号:
1727-1736-6-ND
别名:1727-1736-6
568-11279-6
568-11279-6-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
型号:
PUMH15,115
仓库库存编号:
1727-1981-1-ND
别名:1727-1981-1
568-12014-1
568-12014-1-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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STMicroelectronics
TRANS PNP 45V 4A SOT32
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 4A 3MHz 36W Through Hole SOT-32
型号:
BD438
仓库库存编号:
497-14155-5-ND
别名:497-14155-5
BD438ST
BD438ST-ND
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
无铅
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SMT3
型号:
DTC143EKAT146
仓库库存编号:
DTC143EKAT146CT-ND
别名:DTC143EKAT146CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Rohm Semiconductor
PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3
型号:
DTA143XCAT116
仓库库存编号:
DTA143XCAT116CT-ND
别名:DTA143XCAT116CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Rohm Semiconductor
PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3
型号:
DTA143ECAT116
仓库库存编号:
DTA143ECAT116CT-ND
别名:DTA143ECAT116CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Rohm Semiconductor
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3
型号:
DTC143ECAT116
仓库库存编号:
DTC143ECAT116CT-ND
别名:DTC143ECAT116CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Rohm Semiconductor
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3
型号:
DTC143XCAT116
仓库库存编号:
DTC143XCAT116CT-ND
别名:DTC143XCAT116CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Rohm Semiconductor
TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3
型号:
DTA143XETL
仓库库存编号:
DTA143XETLCT-ND
别名:DTA143XETLCT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
型号:
RN2901FE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2901FE(TE85LF)CT-ND
别名:RN2901FE(TE85LF)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV
型号:
RN2701JE(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2701JE(TE85LF)CT-ND
别名:RN2701JE(TE85LF)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
型号:
RN1601(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1601(TE85LF)CT-ND
别名:RN1601(TE85LF)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN2961(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN2961(TE85LF)CT-ND
别名:RN2961(TE85LF)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
型号:
RN4601(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN4601(TE85LF)CT-ND
别名:RN4601(TE85LF)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
型号:
RN1961(TE85L,F)
仓库库存编号:
RN1961(TE85LF)CT-ND
别名:RN1961(TE85LF)CT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN PREBIAS 50V 100MA VESM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM
型号:
RN1117MFV,L3F
仓库库存编号:
RN1117MFVL3F-ND
别名:RN1117MFVL3F
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
型号:
RN1101,LF(CT
仓库库存编号:
RN1101,LF(CTCT-ND
别名:RN1101(T5LFT)CT
RN1101(T5LFT)CT-ND
RN1101,LF(CTCT
规格:不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 10mA,5V,
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