品牌:Infineon Technologies,规格:工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 7A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 7A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC08D120F6
仓库库存编号:
SIDC08D120F6-ND
别名:SP000013475
品牌:Infineon Technologies,规格:工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 10A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC08D120H6
仓库库存编号:
SIDC08D120H6-ND
别名:SP000013216
品牌:Infineon Technologies,规格:工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 20A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC09D60E6
仓库库存编号:
SIDC09D60E6-ND
别名:SP000012546
品牌:Infineon Technologies,规格:工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 20A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC09D60E6 UNSAWN
仓库库存编号:
SIDC09D60E6 UNSAWN-ND
别名:SIDC09D60E6UNSAWN
SP000012547
品牌:Infineon Technologies,规格:工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 20A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 20A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC09D60E6Y
仓库库存编号:
SIDC09D60E6Y-ND
别名:SP000012548
品牌:Infineon Technologies,规格:工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 15A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC10D120H6
仓库库存编号:
SIDC10D120H6-ND
别名:SP000013220
品牌:Infineon Technologies,规格:工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.7KV 200A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1700V 200A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC110D170H
仓库库存编号:
SIDC110D170H-ND
别名:SP000013982
品牌:Infineon Technologies,规格:工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 15A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC14D120E6
仓库库存编号:
SIDC14D120E6-ND
别名:SP000011975
品牌:Infineon Technologies,规格:工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 15A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC14D120F6
仓库库存编号:
SIDC14D120F6-ND
别名:SP000013486
品牌:Infineon Technologies,规格:工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 25A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC14D120H6
仓库库存编号:
SIDC14D120H6-ND
别名:SP000013210
品牌:Infineon Technologies,规格:工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 30A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC14D60E6
仓库库存编号:
SIDC14D60E6-ND
别名:SP000011941
品牌:Infineon Technologies,规格:工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 30A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 30A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC14D60E6Y
仓库库存编号:
SIDC14D60E6Y-ND
别名:SIDC14D60E6SANYO
SP000011942
品牌:Infineon Technologies,规格:工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.7KV 300A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1700V 300A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC161D170H
仓库库存编号:
SIDC161D170H-ND
别名:SP000013983
品牌:Infineon Technologies,规格:工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 25A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC23D120E6
仓库库存编号:
SIDC23D120E6-ND
别名:SP000011943
品牌:Infineon Technologies,规格:工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 25A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC23D120F6
仓库库存编号:
SIDC23D120F6-ND
别名:SP000013485
品牌:Infineon Technologies,规格:工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 35A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC23D120H6
仓库库存编号:
SIDC23D120H6-ND
别名:SP000013214
品牌:Infineon Technologies,规格:工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 50A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC23D60E6
仓库库存编号:
SIDC23D60E6-ND
别名:SP000011944
品牌:Infineon Technologies,规格:工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 50A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC23D60E6Y
仓库库存编号:
SIDC23D60E6Y-ND
别名:SP000011945
品牌:Infineon Technologies,规格:工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 35A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC30D120E6
仓库库存编号:
SIDC30D120E6-ND
别名:SP000011946
品牌:Infineon Technologies,规格:工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 35A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC30D120F6
仓库库存编号:
SIDC30D120F6-ND
别名:SP000014011
品牌:Infineon Technologies,规格:工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 50A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC30D120H6
仓库库存编号:
SIDC30D120H6-ND
别名:SP000013211
品牌:Infineon Technologies,规格:工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 75A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 600V 75A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC30D60E6
仓库库存编号:
SIDC30D60E6-ND
别名:SP000011947
品牌:Infineon Technologies,规格:工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.7KV 50A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1700V 50A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC32D170H
仓库库存编号:
SIDC32D170H-ND
别名:SP000013977
品牌:Infineon Technologies,规格:工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 50A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC42D120E6
仓库库存编号:
SIDC42D120E6-ND
别名:SP000011948
品牌:Infineon Technologies,规格:工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
含铅
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DIODE GEN PURP 1.2KV 50A WAFER
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1200V 50A(DC) 带箔切割晶片
型号:
SIDC42D120F6
仓库库存编号:
SIDC42D120F6-ND
别名:SP000014012
品牌:Infineon Technologies,规格:工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C,
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