规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 40A DO203AB
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 40A DO-203AB
型号:
VS-1N1183RA
仓库库存编号:
VS-1N1183RA-ND
别名:*1N1183RA
1N1183RA
1N1183RA-ND
规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 40A DO203AB
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 40A DO-203AB
型号:
VS-1N1187RA
仓库库存编号:
VS-1N1187RA-ND
别名:*1N1187RA
1N1187RA
1N1187RA-ND
规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 50V 60A DO5
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 60A DO-5
型号:
1N2128A
仓库库存编号:
1N2128AGN-ND
别名:1N2128AGN
规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 50V 60A DO5
详细描述:标准型, 反极性 底座,接线柱安装 二极管 60A DO-5
型号:
1N2128AR
仓库库存编号:
1N2128ARGN-ND
别名:1N2128ARGN
规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 60A DO203AB
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 60A DO-203AB
型号:
VS-1N2129RA
仓库库存编号:
1N2129RA-ND
别名:*1N2129RA
1N2129RA
VS-1N2129RA-ND
VS1N2129RA
VS1N2129RA-ND
规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
详细描述:标准 通孔 二极管 1A
型号:
1N5622
仓库库存编号:
1N5622-ND
规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
含铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 50V 40A DO5
详细描述:标准型, 反极性 底座,接线柱安装 二极管 40A DO-5
型号:
1N1183AR
仓库库存编号:
1N1183ARGN-ND
别名:1N1183ARGN
规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 60A DO203AB
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 60A DO-203AB
型号:
VS-1N2131A
仓库库存编号:
1N2131A-ND
别名:*1N2131A
1N2131A
VS-1N2131A-ND
VS1N2131A
VS1N2131A-ND
规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 100V 60A DO5
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 60A DO-5
型号:
1N2129A
仓库库存编号:
1N2129AGN-ND
别名:1N2129AGN
规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 60A DO203AB
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 60A DO-203AB
型号:
VS-1N2130RA
仓库库存编号:
1N2130RA-ND
别名:*1N2130RA
1N2130RA
VS-1N2130RA-ND
VS1N2130RA
VS1N2130RA-ND
规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 60A DO203AB
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 60A DO-203AB
型号:
VS-1N2130A
仓库库存编号:
VS-1N2130A-ND
别名:*1N2130A
1N2130A
1N2130A-ND
规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 60A DO5
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 60A DO-5
型号:
1N2138A
仓库库存编号:
1242-1049-ND
别名:1242-1049
规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 60A DO203AB
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 400V 60A DO-203AB
型号:
VS-1N2135RA
仓库库存编号:
VS-1N2135RA-ND
别名:*1N2135RA
1N2135RA
1N2135RA-ND
规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 60A DO203AB
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 400V 60A DO-203AB
型号:
VS-1N2135A
仓库库存编号:
VS-1N2135A-ND
别名:*1N2135A
1N2135A
1N2135A-ND
规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 50V 40A DO203AB
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 50V 40A DO-203AB
型号:
1N1183A
仓库库存编号:
1N1183AGN-ND
别名:1N1183AGN
规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 400V 40A DO5
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 40A DO-5
型号:
1N1188A
仓库库存编号:
1N1188AGN-ND
别名:1N1188AGN
规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 300V 60A DO5
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 300V 60A DO-5
型号:
1N2133A
仓库库存编号:
1N2133AGN-ND
别名:1N2133AGN
规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 300V 60A DO5
详细描述:标准型, 反极性 底座,接线柱安装 二极管 60A DO-5
型号:
1N2133AR
仓库库存编号:
1N2133ARGN-ND
别名:1N2133ARGN
规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 400V 60A DO5
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 400V 60A DO-5
型号:
1N2135A
仓库库存编号:
1N2135AGN-ND
别名:1N2135AGN
规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 400V 60A DO5
详细描述:标准型, 反极性 底座,接线柱安装 二极管 400V 60A DO-5
型号:
1N2135AR
仓库库存编号:
1N2135ARGN-ND
别名:1N2135ARGN
规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 500V 60A DO5
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 60A DO-5
型号:
1N2137A
仓库库存编号:
1N2137AGN-ND
别名:1N2137AGN
规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP REV 500V 60A DO5
详细描述:标准型, 反极性 底座,接线柱安装 二极管 500V 60A DO-5
型号:
1N2137AR
仓库库存编号:
1N2137ARGN-ND
别名:1N2137ARGN
规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
详细描述:标准 通孔 二极管 600V 1A
型号:
JAN1N5618
仓库库存编号:
1086-2108-ND
别名:1086-2108
1086-2108-MIL
规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
含铅
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Microsemi Corporation
DIODE GEN PURP 800V 1A D5A
详细描述:标准 表面贴装 二极管 800V 1A D-5A
型号:
1N5620US
仓库库存编号:
1N5620US-ND
规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
含铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 60A DO5
详细描述:标准 底座,接线柱安装 二极管 200V 60A DO-5
型号:
1N2131A
仓库库存编号:
1242-1105-ND
别名:1242-1105
规格:工作温度 - 结 -65°C ~ 200°C,
无铅
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