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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
详细描述:雪崩 表面贴装 二极管 1.5A DO-214AC(SMA)
型号:
BYG21M-E3/TR
仓库库存编号:
BYG21M-E3/GICT-ND
别名:BYG21M-E3/GICT
规格:反向恢复时间(trr) 120ns,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE MODULE 400V 275A HALF-PAK
详细描述:标准 底座安装 二极管 275A HALF-PAK
型号:
VS-HFA135NH40PBF
仓库库存编号:
VS-HFA135NH40PBF-ND
别名:HFA135NH40PBF
HFA135NH40PBF-ND
规格:反向恢复时间(trr) 120ns,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 800V 1.5A
详细描述:雪崩 表面贴装 二极管 1.5A DO-214AC(SMA)
型号:
BYG21K-E3/TR
仓库库存编号:
BYG21K-E3/GICT-ND
别名:BYG21K-E3/GICT
规格:反向恢复时间(trr) 120ns,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
详细描述:标准 通孔 二极管 10A TO-220F-2L
型号:
FFPF10UA60ST
仓库库存编号:
FFPF10UA60ST-ND
规格:反向恢复时间(trr) 120ns,
无铅
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ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
详细描述:标准 通孔 二极管 8A TO-220-2
型号:
MSR860G
仓库库存编号:
MSR860GOS-ND
别名:MSR860GOS
规格:反向恢复时间(trr) 120ns,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 600V 150A TO247-3
详细描述:标准 通孔 二极管 150A(DC) PG-TO247-3
型号:
IDW100E60
仓库库存编号:
IDW100E60-ND
别名:IDW100E60FKSA1
SP000227825
规格:反向恢复时间(trr) 120ns,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 76A 268W TO247AD
详细描述:IGBT 600V 76A 268W Through Hole TO-247AD
型号:
IRGP4650D-EPBF
仓库库存编号:
IRGP4650D-EPBF-ND
别名:IRGP4650DEPBF
SP001535810
规格:反向恢复时间(trr) 120ns,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35
详细描述:标准 通孔 二极管 200mA DO-35
型号:
BAX16TR
仓库库存编号:
BAX16TRCT-ND
别名:BAX16TRCT
规格:反向恢复时间(trr) 120ns,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 20A D2PAK
详细描述:标准 表面贴装 二极管 20A D2PAK
型号:
VS-20ETF06STRLPBF
仓库库存编号:
VS-20ETF06STRLPBFCT-ND
别名:VS-20ETF06STRLPBFCT
规格:反向恢复时间(trr) 120ns,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 76A 268W TO247AD
详细描述:IGBT Trench 600V 76A 268W Through Hole TO-247AD
型号:
IRGP4069D-EPBF
仓库库存编号:
IRGP4069D-EPBF-ND
别名:SP001534110
规格:反向恢复时间(trr) 120ns,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE ARRAY GP 35V 100MA SOT23
详细描述:Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 100mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
型号:
BAT 18-04 E6327
仓库库存编号:
BAT 18-04 E6327CT-ND
别名:BAT 18-04 E6327CT
规格:反向恢复时间(trr) 120ns,
无铅
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ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP
详细描述:标准 通孔 二极管 8A TO-220FP
型号:
MSRF860G
仓库库存编号:
MSRF860GOS-ND
别名:MSRF860G-ND
MSRF860GOS
规格:反向恢复时间(trr) 120ns,
无铅
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IXYS
IGBT 650V 60A 270W TO247
详细描述:IGBT PT 650V 60A 270W Through Hole TO-247 (IXYH)
型号:
IXYH30N65C3H1
仓库库存编号:
IXYH30N65C3H1-ND
规格:反向恢复时间(trr) 120ns,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE MODULE 400V 100A ISOTOP
详细描述:Diode Array 2 Independent Standard 100A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号:
APT2X101DL40J
仓库库存编号:
APT2X101DL40J-ND
规格:反向恢复时间(trr) 120ns,
无铅
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Microsemi Corporation
DIODE MODULE 400V 500A LP4
详细描述:标准 底座安装 二极管 500A LP4
型号:
APTDF500U40G
仓库库存编号:
APTDF500U40G-ND
别名:APTDF500U40GMI
APTDF500U40GMI-ND
规格:反向恢复时间(trr) 120ns,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
DIODE ARRAY GP 600V 10A TO220F
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 10A Through Hole TO-220-3 Full Pack
型号:
FFPF20UA60DN
仓库库存编号:
FFPF20UA60DN-ND
规格:反向恢复时间(trr) 120ns,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 76A 268W TO247AC
详细描述:IGBT 600V 76A 268W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGP4650DPBF
仓库库存编号:
IRGP4650DPBF-ND
别名:SP001535760
规格:反向恢复时间(trr) 120ns,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
详细描述:标准 表面贴装 二极管 15A D-PAK(TO-252AA)
型号:
VS-15AWL06FNTR-M3
仓库库存编号:
VS-15AWL06FNTR-M3GICT-ND
别名:VS-15AWL06FNTR-M3GICT
规格:反向恢复时间(trr) 120ns,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 1000V 1A DO220AA
详细描述:雪崩 表面贴装 二极管 1A DO-220AA(SMP)
型号:
AR1PM-M3/84A
仓库库存编号:
AR1PM-M3/84ACT-ND
别名:AR1PM-M3/84ACT
规格:反向恢复时间(trr) 120ns,
无铅
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STMicroelectronics
DIODE MODULE 600V 120A ISOTOP
详细描述:Diode Array 2 Independent Standard 120A Chassis Mount ISOTOP
型号:
STTH200L06TV1
仓库库存编号:
497-4408-5-ND
别名:497-4408-5
规格:反向恢复时间(trr) 120ns,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 1KV 1.6A TO277
详细描述:雪崩 表面贴装 二极管 1.6A(DC) TO-277A(SMPC)
型号:
AR3PM-M3/86A
仓库库存编号:
AR3PM-M3/86ACT-ND
别名:AR3PM-M3/86ACT
规格:反向恢复时间(trr) 120ns,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 76A 268W TO247AC
详细描述:IGBT Trench 600V 76A 268W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGP4069DPBF
仓库库存编号:
IRGP4069DPBF-ND
别名:SP001535800
规格:反向恢复时间(trr) 120ns,
无铅
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IXYS
IGBT 650V 80A 300W TO247
详细描述:IGBT PT 650V 80A 300W Through Hole TO-247 (IXYH)
型号:
IXYH40N65C3H1
仓库库存编号:
IXYH40N65C3H1-ND
规格:反向恢复时间(trr) 120ns,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, FAST, 1.5A, 1000V, 120NS,
详细描述:雪崩 表面贴装 二极管 1.5A DO-214AC(SMA)
型号:
BYG21M R3G
仓库库存编号:
BYG21M R3GTR-ND
别名:BYG21M R3GTR
规格:反向恢复时间(trr) 120ns,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, FAST, 1.5A, 1000V, 120NS,
详细描述:雪崩 表面贴装 二极管 1.5A DO-214AC(SMA)
型号:
BYG21M R3G
仓库库存编号:
BYG21M R3GCT-ND
别名:BYG21M R3GCT
规格:反向恢复时间(trr) 120ns,
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