规格:反向恢复时间(trr) 58ns,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(17)
分立半导体产品
(17)
筛选品牌
Infineon Technologies (2)
Fairchild/ON Semiconductor (1)
Rohm Semiconductor (9)
Vishay Semiconductor Diodes Division (5)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
详细描述:标准 通孔 二极管 10A TO-220F-2L
型号:
FFPF10UP60STU
仓库库存编号:
FFPF10UP60STUFS-ND
别名:FFPF10UP60STU-ND
FFPF10UP60STUFS
规格:反向恢复时间(trr) 58ns,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 650V 90A W/DIO TO247-4
详细描述:IGBT 650V 90A 395W Through Hole PG-TO247-4
型号:
IKZ75N65EH5XKSA1
仓库库存编号:
IKZ75N65EH5XKSA1-5-ND
别名:IKZ75N65EH5XKSA1-5
SP001160046
规格:反向恢复时间(trr) 58ns,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
IGBT 650V 40A 161W TO-263S
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 40A 161W Surface Mount LPDS (TO-263S)
型号:
RGT40NS65DGTL
仓库库存编号:
RGT40NS65DGTLCT-ND
别名:RGT40NS65DGTLCT
规格:反向恢复时间(trr) 58ns,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
IGBT 650V 55A 194W TO-247N
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 55A 194W Through Hole TO-247N
型号:
RGT60TS65DGC11
仓库库存编号:
RGT60TS65DGC11-ND
规格:反向恢复时间(trr) 58ns,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
IGBT 650V 70A 234W TO-247N
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 70A 234W Through Hole TO-247N
型号:
RGT80TS65DGC11
仓库库存编号:
RGT80TS65DGC11-ND
规格:反向恢复时间(trr) 58ns,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 600V 6A TO277A
详细描述:标准 表面贴装 二极管 6A TO-277A(SMPC)
型号:
VS-6ESU06-M3/86A
仓库库存编号:
VS-6ESU06-M3/86AGICT-ND
别名:VS-6ESU06-M3/86AGICT
规格:反向恢复时间(trr) 58ns,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
IGBT 650V 40A 144W TO-247N
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 40A 144W Through Hole TO-247N
型号:
RGTH40TS65DGC11
仓库库存编号:
RGTH40TS65DGC11-ND
规格:反向恢复时间(trr) 58ns,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
IGBT 650V 40A 144W TO-247N
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 40A 144W Through Hole TO-247N
型号:
RGT40TS65DGC11
仓库库存编号:
RGT40TS65DGC11-ND
规格:反向恢复时间(trr) 58ns,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
IGBT 650V 58A 194W TO-247N
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 58A 194W Through Hole TO-247N
型号:
RGTH60TS65DGC11
仓库库存编号:
RGTH60TS65DGC11-ND
规格:反向恢复时间(trr) 58ns,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
IGBT 650V 50A 174W TO-247N
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 50A 174W Through Hole TO-247N
型号:
RGTH50TS65DGC11
仓库库存编号:
RGTH50TS65DGC11-ND
规格:反向恢复时间(trr) 58ns,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
IGBT 650V 48A 174W TO-247N
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 48A 174W Through Hole TO-247N
型号:
RGT50TS65DGC11
仓库库存编号:
RGT50TS65DGC11-ND
规格:反向恢复时间(trr) 58ns,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
IGBT 650V 70A 234W TO-247N
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 70A 234W Through Hole TO-247N
型号:
RGTH80TS65DGC11
仓库库存编号:
RGTH80TS65DGC11-ND
规格:反向恢复时间(trr) 58ns,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 600V 6A TO277A
详细描述:标准 表面贴装 二极管 6A TO-277A(SMPC)
型号:
VS-6ESU06HM3/86A
仓库库存编号:
VS-6ESU06HM3/86AGICT-ND
别名:VS-6ESU06HM3/86AGICT
规格:反向恢复时间(trr) 58ns,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A
详细描述:标准 表面贴装 二极管 6A TO-277A(SMPC)
型号:
VS-6ESU06-M3/87A
仓库库存编号:
VS-6ESU06-M3/87A-ND
规格:反向恢复时间(trr) 58ns,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A
详细描述:标准 表面贴装 二极管 6A TO-277A(SMPC)
型号:
VS-6ESU06HM3/87A
仓库库存编号:
VS-6ESU06HM3/87A-ND
规格:反向恢复时间(trr) 58ns,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE MODULE 1.2KV 110A SOT227
详细描述:Diode Array 2 Independent Standard 1200V 110A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC
型号:
VS-HFA220FA120
仓库库存编号:
VS-HFA220FA120GI-ND
别名:VS-HFA220FA120GI
规格:反向恢复时间(trr) 58ns,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
详细描述:IGBT Trench 650V 80A 270W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW50N65H5AXKSA1
仓库库存编号:
IKW50N65H5AXKSA1-ND
别名:SP001187522
规格:反向恢复时间(trr) 58ns,
无铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号