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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 4A TO277A
详细描述:标准 表面贴装 二极管 4A TO-277A(SMPC)
型号:
S4PMHM3_A/I
仓库库存编号:
S4PMHM3_A/I-ND
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1000V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, 8A, 1000V, AEC-Q101, DO-2
详细描述:标准 表面贴装 二极管 8A DO-214AB,(SMC)
型号:
S8MCHR7G
仓库库存编号:
S8MCHR7G-ND
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1000V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, 6A, 1000V, R-6
详细描述:标准 通孔 二极管 6A R-6
型号:
6A100G R0G
仓库库存编号:
6A100G R0G-ND
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1000V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
详细描述:标准 表面贴装 二极管 3A DO-214AB,(SMC)
型号:
S3MHE3_A/H
仓库库存编号:
S3MHE3_A/H-ND
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1000V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, HIGH EFFICIENT, 5A, 1000V
详细描述:标准 表面贴装 二极管 5A DO-214AB,(SMC)
型号:
HS5M M6G
仓库库存编号:
HS5M M6G-ND
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1000V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB
详细描述:标准 表面贴装 二极管 5A DO-214AB,(SMC)
型号:
S5MHE3_A/I
仓库库存编号:
S5MHE3_A/I-ND
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1000V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 4A TO277A
详细描述:标准 表面贴装 二极管 4A TO-277A(SMPC)
型号:
S4PMHM3_A/H
仓库库存编号:
S4PMHM3_A/H-ND
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1000V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, 6A, 1000V, AEC-Q101, R-6
详细描述:标准 通孔 二极管 6A R-6
型号:
6A100GHR0G
仓库库存编号:
6A100GHR0G-ND
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1000V,
无铅
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Comchip Technology
DIODE GEN PURP 1KV 6A R6
详细描述:标准 通孔 二极管 6A R-6
型号:
6A10-G
仓库库存编号:
6A10-G-ND
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1000V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 5A DO214AB
详细描述:标准 表面贴装 二极管 5A DO-214AB,(SMC)
型号:
S5MHE3_A/H
仓库库存编号:
S5MHE3_A/H-ND
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1000V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, HIGH EFFICIENT, 3A, 1000V
详细描述:标准 通孔 二极管 3A DO-201AD
型号:
HER308G B0G
仓库库存编号:
HER308G B0G-ND
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1000V,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 1000V 1A DB
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 1A Through Hole DB
型号:
DB107G
仓库库存编号:
DB107GGN-ND
别名:DB107GGN
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1000V,
无铅
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Comchip Technology
RECTIFIER BRIDGE 1.5A 1000V DF
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 1.5A Surface Mount DFS
型号:
DF1510ST-G
仓库库存编号:
DF1510ST-G-ND
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1000V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, 6A, 1000V, R-6
详细描述:标准 通孔 二极管 6A R-6
型号:
6A100G A0G
仓库库存编号:
6A100G A0G-ND
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1000V,
无铅
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Sanken
DIODE GEN PURP 1KV 1.2A AXIAL
详细描述:标准 通孔 二极管 1.2A 轴向
型号:
RM 11C
仓库库存编号:
RM 11C-ND
别名:RM 11C DK
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1000V,
无铅
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Sanken
DIODE GEN PURP 1KV 1.2A AXIAL
详细描述:标准 通孔 二极管 1.2A 轴向
型号:
RM 11CV
仓库库存编号:
RM 11CV-ND
别名:RM 11CV DK
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1000V,
无铅
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Sanken
DIODE GEN PURP 1KV 1.2A AXIAL
详细描述:标准 通孔 二极管 1.2A 轴向
型号:
RM 11CV1
仓库库存编号:
RM 11CV1-ND
别名:RM 11CV1 DK
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1000V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE, 6A, 1000V, AEC-Q101, R-6
详细描述:标准 通孔 二极管 6A R-6
型号:
6A100GHA0G
仓库库存编号:
6A100GHA0G-ND
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1000V,
无铅
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Sanken
DIODE GEN PURP 1KV 1.2A AXIAL
详细描述:标准 通孔 二极管 1.2A 轴向
型号:
RM 2C
仓库库存编号:
RM 2C-ND
别名:RM 2C DK
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1000V,
无铅
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Sanken
DIODE GEN PURP 1KV 1.2A AXIAL
详细描述:标准 通孔 二极管 1.2A
型号:
RO 2C
仓库库存编号:
RO 2C-ND
别名:RO 2C DK
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1000V,
无铅
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Sanken
DIODE GEN PURP 1KV 200MA AXIAL
详细描述:标准 通孔 二极管 200mA
型号:
RU 1C
仓库库存编号:
RU 1C-ND
别名:RU 1C DK
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1000V,
无铅
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Sanken
DIODE GEN PURP 1KV 800MA AXIAL
详细描述:标准 通孔 二极管 800mA
型号:
RU 2C
仓库库存编号:
RU 2C-ND
别名:RU 2C DK
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1000V,
无铅
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Sanken
DIODE GEN PURP 1KV 1.2A AXIAL
详细描述:标准 通孔 二极管 1.2A 轴向
型号:
RM 2CV
仓库库存编号:
RM 2CV-ND
别名:RM 2CV DK
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1000V,
无铅
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Sanken
DIODE GEN PURP 1KV 1.2A AXIAL
详细描述:标准 通孔 二极管 1.2A
型号:
RO 2CV
仓库库存编号:
RO 2CV-ND
别名:RO 2CV DK
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1000V,
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Sanken
DIODE GEN PURP 1KV 1.2A AXIAL
详细描述:标准 通孔 二极管 1.2A
型号:
RO 2CV1
仓库库存编号:
RO 2CV1-ND
别名:RO 2CV1 DK
规格:不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 1000V,
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