规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB
详细描述:通孔 3A(Tc)(95°C) 15W(Tc) TO-247AB
型号:
GA03JT12-247
仓库库存编号:
1242-1164-ND
别名:1242-1164
GA03JT12247
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 625W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT14M120B
仓库库存编号:
APT14M120B-ND
别名:APT14M120BMI
APT14M120BMI-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1200V 12A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF12N120K5
仓库库存编号:
497-16011-5-ND
别名:497-16011-5
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 150W(Tc) HiP247?
型号:
SCT10N120
仓库库存编号:
497-16597-5-ND
别名:497-16597-5
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247-3
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 250W(Tc) TO-247 长引线
型号:
STWA12N120K5
仓库库存编号:
497-16029-5-ND
别名:497-16029-5
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 1200V 45A
详细描述:45A(Tc) 282W(Tc)
型号:
GA20JT12-263
仓库库存编号:
1242-1189-ND
别名:1242-1189
GA20JT12-247ISO
GA20JT12247ISO
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 1200V 15A
详细描述:15A(Tc) 106W(Tc)
型号:
GA05JT12-263
仓库库存编号:
1242-1184-ND
别名:1242-1184
GA05JT12-220ISO
GA05JT12220ISO
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 1200V 25A
详细描述:表面贴装 25A(Tc) 170W(Tc)
型号:
GA10JT12-263
仓库库存编号:
1242-1186-ND
别名:1242-1186
GA10JT12-220ISO
GA10JT12220ISO
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
详细描述:表面贴装 25A(Tc) 170W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
GA10SICP12-263
仓库库存编号:
1242-1318-ND
别名:1242-1318
GA10SICP12-263-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 1200V 160A SOT227
详细描述:TRANS SJT 1200V 160A SOT227
型号:
GA100JT12-227
仓库库存编号:
1242-1317-ND
别名:1242-1317
GA100JT12-227-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP6N120P
仓库库存编号:
IXFP6N120P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 200W(Tc) TO-263
型号:
IXFA3N120TRL
仓库库存编号:
IXFA3N120TRLCT-ND
别名:IXFA3N120TRLCT
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 250W(Tc) H2Pak-2
型号:
STH12N120K5-2
仓库库存编号:
497-15425-1-ND
别名:497-15425-1
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 200W(Tc) TO-263
型号:
IXTA3N120HV
仓库库存编号:
IXTA3N120HV-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 41A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 41A(Tc) 273W(Tc) TO-247
型号:
APT40SM120B
仓库库存编号:
APT40SM120B-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 32A(Tc) 165W(Tc) SOT-227
型号:
APT40SM120J
仓库库存编号:
APT40SM120J-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP3N120
仓库库存编号:
IXFP3N120-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 3.5A(Tc) 135W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT1204R7BFLLG
仓库库存编号:
APT1204R7BFLLG-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 16A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 660W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH16N120P
仓库库存编号:
IXFH16N120P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 24A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 1040W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT24M120L
仓库库存编号:
APT24M120L-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 1040W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT24M120B2
仓库库存编号:
APT24M120B2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 1135W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT26F120L
仓库库存编号:
APT26F120L-ND
别名:APT26F120LMI
APT26F120LMI-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 18A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 18A(Tc) 545W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT17F120J
仓库库存编号:
APT17F120J-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 19A(Tc) 545W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT19M120J
仓库库存编号:
APT19M120J-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
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Cree/Wolfspeed
1200V, 75 MOHM, G3 SIC MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 113.6W(Tc) D2PAK-7
型号:
C3M0075120J
仓库库存编号:
C3M0075120J-ND
规格:漏源电压(Vdss) 1200V,
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