规格:漏源电压(Vdss) 900V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(297)
分立半导体产品
(297)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (7)
Diodes Incorporated (2)
Global Power Technologies Group (13)
Infineon Technologies (24)
IXYS (51)
Microsemi Corporation (18)
Fairchild/ON Semiconductor (64)
ON Semiconductor (5)
Renesas Electronics America (6)
Sanken (1)
STMicroelectronics (50)
Taiwan Semiconductor Corporation (12)
Toshiba Semiconductor and Storage (10)
Vishay Siliconix (27)
Cree/Wolfspeed (7)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Tc) 3.13W(Ta),158W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB5N90TM
仓库库存编号:
FQB5N90TMCT-ND
别名:FQB5N90TMCT
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 900V 11.5A
详细描述:通孔 N 沟道 11.5A(Tc) 54W(Tc) TO-247-3
型号:
C3M0280090D
仓库库存编号:
C3M0280090D-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 5.8A(Tc) 140W(Tc) TO-247-3
型号:
STW7NK90Z
仓库库存编号:
497-7624-5-ND
别名:497-7624-5
STW7NK90Z-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 900V 11A
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 50W(Tc) D2PAK-7
型号:
C3M0280090J-TR
仓库库存编号:
C3M0280090J-TRCT-ND
别名:C3M0280090J-TRCT
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 9.2A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 9.2A(Tc) 200W(Tc) TO-247-3
型号:
STW11NK90Z
仓库库存编号:
497-6198-5-ND
别名:497-6198-5
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Cree/Wolfspeed
900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 97W(Tc) TO-247-3
型号:
C3M0120090D
仓库库存编号:
C3M0120090D-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 15A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 350W(Tc) TO-247-3
型号:
STW15NK90Z
仓库库存编号:
497-3557-5-ND
别名:497-3557-5
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 18.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF21N90K5
仓库库存编号:
497-12853-5-ND
别名:497-12853-5
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
C3M0065090D
仓库库存编号:
C3M0065090D-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 113W(Tc) D2PAK-7
型号:
C3M0065090J
仓库库存编号:
C3M0065090J-ND
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N90TM
仓库库存编号:
FQD2N90TMCT-ND
别名:FQD2N90TMCT
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 3A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STP3NK90ZFP
仓库库存编号:
497-5979-5-ND
别名:497-5979-5
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2.1A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
STP2NK90Z
仓库库存编号:
497-4378-5-ND
别名:497-4378-5
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 11A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA90R500C3
仓库库存编号:
IPA90R500C3-ND
别名:IPA90R500C3XKSA1
SP000413716
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 18.5A(Tc) 250W(Tc) TO-220-3
型号:
STP21N90K5
仓库库存编号:
497-12864-5-ND
别名:497-12864-5
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 36A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 417W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW90R120C3
仓库库存编号:
IPW90R120C3-ND
别名:IPW90R120C3FKSA1
IPW90R120C3XK
Q4173182
SP000413750
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2.2A(Tc) 85W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP2N90
仓库库存编号:
FQP2N90FS-ND
别名:FQP2N90-ND
FQP2N90FS
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1.7A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBF20PBF
仓库库存编号:
IRFBF20PBF-ND
别名:*IRFBF20PBF
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 4.7A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 4.7A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPF40PBF
仓库库存编号:
IRFPF40PBF-ND
别名:*IRFPF40PBF
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 156W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW90R500C3
仓库库存编号:
IPW90R500C3-ND
别名:IPW90R500C3FKSA1
SP000413756
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 6.7A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 6.7A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPF50PBF
仓库库存编号:
IRFPF50PBF-ND
别名:*IRFPF50PBF
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6.9A(Tc) 104W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP90R800C3
仓库库存编号:
IPP90R800C3-ND
别名:IPP90R800C3XKSA1
SP000413748
SP000683102
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 15A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 208W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB90R340C3ATMA1
仓库库存编号:
IPB90R340C3ATMA1CT-ND
别名:IPB90R340C3ATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
详细描述:通孔 N 沟道 TO-247
型号:
STW6N90K5
仓库库存编号:
497-17077-ND
别名:497-17077
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 1.9A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBF30GPBF
仓库库存编号:
IRFIBF30GPBF-ND
别名:*IRFIBF30GPBF
规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号