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• Toshiba Semiconductor and Storage
  X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 260A（Tc） 960mW（Ta）, 170W（Tc） 8-DSOP Advance
  
  型号：TPW1R306PL,L1Q
  仓库库存编号：TPW1R306PLL1QCT-ND
  别名：TPW1R306PLL1QCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 30A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ461EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ461EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ461EP-T1_GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 42.8W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD12NF06L-1
  仓库库存编号：497-6730-5-ND
  别名：497-6730-5
  STD12NF06L-1-ND
  STD12NF06L1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），80A（Tc） 242W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB5800
  仓库库存编号：FDB5800CT-ND
  别名：FDB5800CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP36NF06L
  仓库库存编号：497-7522-5-ND
  别名：497-7522-5
  STP36NF06L-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100A（Ta） 90W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP304-TL-H
  仓库库存编号：ATP304-TL-HOSCT-ND
  别名：ATP304-TL-HOSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP65NF06
  仓库库存编号：497-7529-5-ND
  别名：497-7529-5
  STP65NF06-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 47A（Tc） 3.75W（Ta），160W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB47P06TM_AM002
  仓库库存编号：FQB47P06TM_AM002CT-ND
  别名：FQB47P06TM_AM002CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ44PBF
  仓库库存编号：IRFZ44PBF-ND
  别名：*IRFZ44PBF
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 357W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK962R5-60E,118
  仓库库存编号：1727-7136-1-ND
  别名：1727-7136-1
  568-9569-1
  568-9569-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 55A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55A（Tc） 3.75W（Ta），125W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM55P06-19L-E3
  仓库库存编号：SUM55P06-19L-E3CT-ND
  别名：SUM55P06-19L-E3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 110A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM110P06-07L-E3
  仓库库存编号：SUM110P06-07L-E3CT-ND
  别名：SUM110P06-07L-E3-ND
  SUM110P06-07L-E3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 100A F7 TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 125W（Tc） TO-220
  
  型号：STP100N6F7
  仓库库存编号：497-15888-5-ND
  别名：497-15888-5
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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  MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100A（Ta） 90W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：BBS3002-DL-1E
  仓库库存编号：BBS3002-DL-1EOSCT-ND
  别名：BBS3002-DL-1EOSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 47A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 47A（Tc） 160W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP47P06
  仓库库存编号：FQP47P06-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 110A（Tc） 3.75W（Ta），272W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM110P06-08L-E3
  仓库库存编号：SUM110P06-08L-E3CT-ND
  别名：SUM110P06-08L-E3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB035AN06A0
  仓库库存编号：FDB035AN06A0CT-ND
  别名：FDB035AN06A0CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 395W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB024N06
  仓库库存编号：FDB024N06CT-ND
  别名：FDB024N06CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 30A（Tc） 62W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF47P06
  仓库库存编号：FQPF47P06FS-ND
  别名：FQPF47P06-ND
  FQPF47P06FS
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 3.75W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM110N06-3M9H-E3
  仓库库存编号：SUM110N06-3M9H-E3CT-ND
  别名：SUM110N06-3M9H-E3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• EPC
  MOSFET NCH 60V 31A DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2031ENGRT
  仓库库存编号：917-EPC2031ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2031ENGRCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 0.41A TO39-3
  详细描述：通孔 N 沟道 410mA（Ta） 6.25W（Tc） TO-39
  
  型号：2N6660
  仓库库存编号：2N6660MC-ND
  别名：2N6660MC
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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  MOSFET N-CH 60V 0.26A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 260mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：NTR5103NT1G
  仓库库存编号：NTR5103NT1GOSCT-ND
  别名：NTR5103NT1GOSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 0.25A SST3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250mA（Ta） 200mW（Ta） SST3
  
  型号：RK7002BMT116
  仓库库存编号：RK7002BMT116CT-ND
  别名：RK7002BMT116CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 0.2A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 320mW（Ta） SOT-23
  
  型号：T2N7002AK,LM
  仓库库存编号：T2N7002AKLMCT-ND
  别名：T2N7002AKLM(BCT
  T2N7002AKLM(BCT-ND
  T2N7002AKLMCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 60V,
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