规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Ta) 625mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXMN3B01FTA
仓库库存编号:
ZXMN3B01FCT-ND
别名:ZXMN3B01FTR
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD17484F4T
仓库库存编号:
296-42130-1-ND
别名:296-42130-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 17.5A 8MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 17.5A(Ta),19.5A(Tc) 2.3W(Ta),31W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC7678
仓库库存编号:
FDMC7678CT-ND
别名:FDMC7678CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS9435A
仓库库存编号:
FDS9435ACT-ND
别名:FDS9435ACT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 24A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA453EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA453EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA453EDJ-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Ta) 600mW(Ta) TSMT6(SC-95)
型号:
RSQ045N03TR
仓库库存编号:
RSQ045N03CT-ND
别名:RSQ045N03CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 22A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),70A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD508
仓库库存编号:
785-1355-1-ND
别名:785-1355-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 9A 6DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB11EN,115
仓库库存编号:
1727-1244-1-ND
别名:1727-1244-1
568-10450-1
568-10450-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9328TRPBF
仓库库存编号:
IRF9328TRPBFCT-ND
别名:IRF9328TRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.6A(Ta),59A(Tc) 870mW(Ta),41.7W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4841NHT1G
仓库库存编号:
NTMFS4841NHT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4841NHT1GOSCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 70W(Tc) D-Pak
型号:
STD86N3LH5
仓库库存编号:
497-8890-1-ND
别名:497-8890-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L
详细描述:表面贴装 P 沟道 10.5A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SOP
型号:
DMG4413LSS-13
仓库库存编号:
DMG4413LSS-13DICT-ND
别名:DMG4413LSS-13DICT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6680AS
仓库库存编号:
FDS6680ASCT-ND
别名:FDS6680ASCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 30A SOT-23
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 30A, 40A 16.7W, 31W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
型号:
SIZ340DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ340DT-T1-GE3CT-ND
别名:SIZ340DT-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 9.2A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9358TRPBF
仓库库存编号:
IRF9358TRPBFCT-ND
别名:IRF9358TRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 15A 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
型号:
CSD87333Q3D
仓库库存编号:
296-37535-1-ND
别名:296-37535-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 135W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8743TRPBF
仓库库存编号:
IRLR8743TRPBFCT-ND
别名:IRLR8743TRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 12.1A 3.7W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4202DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4202DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4202DY-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A 56LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 349W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN0R9-30YLDX
仓库库存编号:
1727-1858-1-ND
别名:1727-1858-1
568-11554-1
568-11554-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 40A 22.7W, 100W Surface Mount 6-PowerPair?
型号:
SIZ916DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ916DT-T1-GE3CT-ND
别名:SIZ916DT-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 24A, 28A 48W, 100W Surface Mount 6-PowerPair?
型号:
SIZ900DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ900DT-T1-GE3CT-ND
别名:SIZ900DT-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),171A(Tc) 950mW(Ta),96.2W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4897NFT1G
仓库库存编号:
NTMFS4897NFT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4897NFT1GOSCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 15A 6W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
型号:
CSD87333Q3DT
仓库库存编号:
296-37794-1-ND
别名:296-37794-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 25A 6W Surface Mount 5-PTAB (5x3.5)
型号:
CSD87588NT
仓库库存编号:
296-37753-1-ND
别名:296-37753-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 40A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 60W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP6030BL
仓库库存编号:
FDP6030BL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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