规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V SOT883
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Ta) 350mW(Ta), 6.25W(Tc) DFN1006B-3
型号:
PMZB320UPEYL
仓库库存编号:
1727-2329-1-ND
别名:1727-2329-1
568-12615-1
568-12615-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 530MA 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 530mA(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) 3-DFN1006B(0.6x1)
型号:
NX3008NBKMB,315
仓库库存编号:
1727-1234-1-ND
别名:1727-1234-1
568-10439-1
568-10439-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Tc) 44W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK9M17-30EX
仓库库存编号:
1727-2573-1-ND
别名:1727-2573-1
568-13017-1
568-13017-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),29A(Tc) 2.8W(Ta) 8-PQFN(3x3)
型号:
IRFH3707TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH3707TR2PBFCT-ND
别名:IRFH3707TR2PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Ta) 510mW(Ta), 3.9W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV50ENEAR
仓库库存编号:
1727-2533-1-ND
别名:1727-2533-1
568-12972-1
568-12972-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 2.8W(Ta),25W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
IRFHM8337TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM8337TRPBFCT-ND
别名:IRFHM8337TRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 90A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 92A(Tc) 67W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN4R1-30YLC,115
仓库库存编号:
1727-5304-1-ND
别名:1727-5304-1
568-6737-1
568-6737-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V MLFP
详细描述:表面贴装 N 沟道 65A(Tc) 51W(Tc) LFPAK33
型号:
PSMN6R5-30MLDX
仓库库存编号:
1727-2220-1-ND
别名:1727-2220-1
568-12474-1
568-12474-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 69W(Tc) LFPAK33
型号:
PSMN4R4-30MLC,115
仓库库存编号:
1727-7143-1-ND
别名:1727-7143-1
568-9576-1
568-9576-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD135N03L G
仓库库存编号:
IPD135N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD135N03L GCT
IPD135N03L GCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N03S4L-09
仓库库存编号:
IPD30N03S4L-09INCT-ND
别名:IPD30N03S4L-09INCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),82A(Tc) 3.6W(Ta),46W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH5303TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH5303TR2PBFCT-ND
别名:IRFH5303TR2PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),35W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ088N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ088N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSZ088N03LSGINCT
BSZ088N03LSGINCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 88W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN2R5-30YL,115
仓库库存编号:
1727-4164-1-ND
别名:1727-4164-1
568-4680-1
568-4680-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB080N03L G
仓库库存编号:
IPB080N03L GCT-ND
别名:IPB080N03L GCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 105W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y07-30B,115
仓库库存编号:
1727-4610-1-ND
别名:1727-4610-1
568-5522-1
568-5522-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB42N03S2L-13
仓库库存编号:
SPB42N03S2L13INCT-ND
别名:SPB42N03S2L13
SPB42N03S2L13INCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9317TRPBF
仓库库存编号:
IRF9317TRPBFCT-ND
别名:IRF9317TRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 65A(Tc) 75W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7821TRPBF
仓库库存编号:
IRLR7821PBFCT-ND
别名:*IRLR7821TRPBF
IRLR7821PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO065N03MSGXUMA1
仓库库存编号:
BSO065N03MSGXUMA1CT-ND
别名:BSO065N03MS GINCT
BSO065N03MS GINCT-ND
BSO065N03MSG
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0902NS
仓库库存编号:
BSC0902NSCT-ND
别名:BSC0902NSCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 215W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R2-30YLC,115
仓库库存编号:
1727-5295-1-ND
别名:1727-5295-1
568-6724-1
568-6724-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7424TRPBF
仓库库存编号:
IRF7424PBFCT-ND
别名:*IRF7424TRPBF
IRF7424PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 167W(Tc) DPAK
型号:
BUK7207-30B,118
仓库库存编号:
1727-5244-1-ND
别名:1727-5244-1
568-6568-1
568-6568-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 157W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7607-30B,118
仓库库存编号:
1727-4700-1-ND
别名:1727-4700-1
568-5848-1
568-5848-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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