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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 400mW（Ta），8.3W（Tc） DFN1010D-3
  
  型号：PMXB120EPE
  仓库库存编号：1727-1472-1-ND
  别名：1727-1472-1
  568-10943-1
  568-10943-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 79A（Tc） 55W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN6R0-30YL,115
  仓库库存编号：1727-4169-1-ND
  别名：1727-4169-1
  568-4685-1
  568-4685-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH SOT883
  详细描述：表面贴装 N 沟道 480mA（Ta） 350mW（Ta） DFN1006-3
  
  型号：PMZ1000UN,315
  仓库库存编号：1727-5860-1-ND
  别名：1727-5860-1
  568-7439-1
  568-7439-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRLL2703TRPBF
  仓库库存编号：IRLL2703TRPBFCT-ND
  别名：IRLL2703TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 65W（Tc） LFPAK33
  
  型号：PSMN4R2-30MLDX
  仓库库存编号：1727-1793-1-ND
  别名：1727-1793-1
  568-11376-1
  568-11376-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 16A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），57A（Tc） 2.6W（Ta），33W（Tc） PQFN（3x3）
  
  型号：IRFHM8329TRPBF
  仓库库存编号：IRFHM8329TRPBFCT-ND
  别名：IRFHM8329TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9335TRPBF
  仓库库存编号：IRF9335TRPBFCT-ND
  别名：IRF9335TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7606TRPBF
  仓库库存编号：IRF7606TRPBFCT-ND
  别名：IRF7606TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta） 2.8W（Ta），37W（Tc）
  
  型号：IRFHM8326TRPBF
  仓库库存编号：IRFHM8326TRPBFCT-ND
  别名：IRFHM8326TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），35A（Tc） 2.1W（Ta），25W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ130N03MS G
  仓库库存编号：BSZ130N03MSGINCT-ND
  别名：BSZ130N03MSGINCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），65A（Tc） 2.5W（Ta），39W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC886N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC886N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC886N03LS GCT
  BSC886N03LS GCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta），39.5A（Tc） 2.1W（Ta），40W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ180P03NS3EGATMA1
  仓库库存编号：BSZ180P03NS3EGATMA1CT-ND
  别名：BSZ180P03NS3EGATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD30N03S2L20ATMA1
  仓库库存编号：IPD30N03S2L20ATMA1CT-ND
  别名：IPD30N03S2L20ATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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  MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：IRF7201TRPBF
  仓库库存编号：IRF7201PBFCT-ND
  别名：*IRF7201TRPBF
  IRF7201PBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 37.7A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37.7A（Tc） 59.4W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y22-30B,115
  仓库库存编号：1727-4615-1-ND
  别名：1727-4615-1
  568-5527-1
  568-5527-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 39.5A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 39.5A（Tc） 59W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK7Y20-30B,115
  仓库库存编号：1727-4607-1-ND
  别名：1727-4607-1
  568-5517-1
  568-5517-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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  MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9333TRPBF
  仓库库存编号：IRF9333TRPBFCT-ND
  别名：IRF9333TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD50N03S4L06ATMA1
  仓库库存编号：IPD50N03S4L06ATMA1CT-ND
  别名：IPD50N03S4L06ATMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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  MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），52W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ120P03NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSZ120P03NS3GATMA1CT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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  MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），90A（Tc） 3.6W（Ta），54W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH8324TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH8324TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH8324TR2PBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），30W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ100N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSZ100N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSZ100N03LSGINCT
  BSZ100N03LSGINCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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  MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），30W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ100N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSZ100N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSZ100N03MSGINCT
  BSZ100N03MSGINCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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  MOSFET P-CH 30V 11A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 2.6W（Ta） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
  
  型号：IRFHM9391TRPBF
  仓库库存编号：IRFHM9391TRPBFCT-ND
  别名：IRFHM9391TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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  MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7526D1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7526D1TRPBFCT-ND
  别名：IRF7526D1TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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  MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9388TRPBF
  仓库库存编号：IRF9388TRPBFCT-ND
  别名：IRF9388TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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