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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：DI9400T
  仓库库存编号：DI9400CT-ND
  别名：DI9400
  DI9400CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 17A, 32A 1W, 1.1W Surface Mount Power Clip 56
  
  型号：FDPC5018SG
  仓库库存编号：FDPC5018SGCT-ND
  别名：FDPC5018SGCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 12A, 22A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS7700S
  仓库库存编号：FDMS7700SCT-ND
  别名：FDMS7700SCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET 2N-CH 30V 16A/40A 8-HSO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 16A, 40A 1.7W, 2.5W Surface Mount 8-HSO
  
  型号：SC8673010L
  仓库库存编号：P16272CT-ND
  别名：P16272CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta），96W（Tc） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD17559Q5
  仓库库存编号：296-35582-1-ND
  别名：296-35582-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 34A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta） 3.3W（Ta），89W（Tc） Dual Cool?56
  
  型号：FDMS3006SDC
  仓库库存编号：FDMS3006SDCCT-ND
  别名：FDMS3006SDCCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 29A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta） 3.3W（Ta），78W（Tc） Dual Cool?56
  
  型号：FDMS3008SDC
  仓库库存编号：FDMS3008SDCCT-ND
  别名：FDMS3008SDCCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 23A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS3604AS
  仓库库存编号：FDMS3604ASFSCT-ND
  别名：FDMS3604ASFSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7658ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7658ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7658ADP-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150A（Tc） 800mW（Ta），142W（Tc） 8-DSOP Advance
  
  型号：TPWR8503NL,L1Q
  仓库库存编号：TPWR8503NLL1QCT-ND
  别名：TPWR8503NLL1QCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4442DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4442DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4442DY-T1-E3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Ta），423A（Tc） 3.3W（Ta），180W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8050ET30
  仓库库存编号：FDMS8050ET30CT-ND
  别名：FDMS8050ET30CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 38A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 5.2W（Tc） PolarPak?
  
  型号：STK38N3LLH5
  仓库库存编号：497-8784-1-ND
  别名：497-8784-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB200NF03T4
  仓库库存编号：497-6548-1-ND
  别名：497-6548-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7994DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7994DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7994DP-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7880ADP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7880ADP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7880ADP-T1-E3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 15.4A, 29.7A 1.13W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  
  型号：NTMFD4C85NT1G
  仓库库存编号：NTMFD4C85NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFD4C85NT1GOSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 11.3A, 18.1A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  
  型号：NTMFD4C86NT1G
  仓库库存编号：NTMFD4C86NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFD4C86NT1GOSCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Ta） 187W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8030L
  仓库库存编号：FDB8030LCT-ND
  别名：FDB8030LCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• EPC
  TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2023ENG
  仓库库存编号：917-EPC2023ENG-ND
  别名：917-EPC2023ENG
  EPC2023ENGRC2
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Microsemi Corporation
  JFET N-CH 30V 360MW TO-18
  详细描述：JFET N-Channel 175mA @ 15V 360mW Through Hole TO-18
  
  型号：JANTX2N4859
  仓库库存编号：1088-1021-ND
  别名：1088-1021
  1088-1021-MIL
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT363-6
  
  型号：BSD316SNL6327XT
  仓库库存编号：BSD316SNL6327XTCT-ND
  别名：BSD316SN L6327INCT
  BSD316SN L6327INCT-ND
  BSD316SNL6327
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
  
  型号：BSR302NL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSR302NL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSR302N L6327CT
  BSR302N L6327CT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.8A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7421D1TRPBF
  仓库库存编号：IRF7421D1PBFCT-ND
  别名：*IRF7421D1TRPBF
  IRF7421D1PBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 0.9A XQFN3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Ta） 360mW（Ta），2.7W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ370UNEYL
  仓库库存编号：1727-2321-1-ND
  别名：1727-2321-1
  568-12607-1
  568-12607-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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