规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），48A（Tc） 2.5W（Ta），32W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC090N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC090N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC090N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC090N03MSGINCT
BSC090N03MSGINCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），48A（Tc） 2.5W（Ta），32W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC090N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC090N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC090N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC090N03LSGINCT
BSC090N03LSGINCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.3W（Ta），14.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR472ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR472ADP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR472ADP-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.1W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4494
仓库库存编号：
785-1291-1-ND
别名：785-1291-1
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 20A TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 700mW（Ta），22W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN8R903NL,LQ
仓库库存编号：
TPN8R903NLLQCT-ND
别名：TPN8R903NLLQCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.7A 1.25W Surface Mount Micro8?
型号：
IRF7506TRPBF
仓库库存编号：
IRF7506TRPBFCT-ND
别名：IRF7506TRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6-MLP 2X2
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
型号：
FDMA7670
仓库库存编号：
FDMA7670CT-ND
别名：FDMA7670CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A TSST8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.5A 1.25W Surface Mount 8-TSST
型号：
TT8K2TR
仓库库存编号：
TT8K2CT-ND
别名：TT8K2CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF9952TRPBF
仓库库存编号：
IRF9952PBFCT-ND
别名：*IRF9952TRPBF
IRF9952PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF9953TRPBF
仓库库存编号：
IRF9953PBFCT-ND
别名：*IRF9953TRPBF
IRF9953PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），45W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ058N03LS G
仓库库存编号：
BSZ058N03LSGINCT-ND
别名：BSZ058N03LSGINCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），80A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC050N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC050N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC050N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC050N03MSGINCT
BSC050N03MSGINCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD70N03S4L-04
仓库库存编号：
IPD70N03S4L-04CT-ND
别名：IPD70N03S4L-04CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），40A（Tc） 40W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD8878
仓库库存编号：
FDD8878CT-ND
别名：FDD8878CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.9A 1.7W Surface Mount 8-DFN (3x2)
型号：
ZXMN3AMCTA
仓库库存编号：
ZXMN3AMCTACT-ND
别名：ZXMN3AMCTACT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta） 3W（Ta），31W（Tc） 8-HSOP
型号：
RS1E280GNTB
仓库库存编号：
RS1E280GNTBCT-ND
别名：RS1E280GNTBCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 30V 12A 8HSSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），39A（Tc） 2W（Ta），19W（Tc） 8-HSSO
型号：
SK8403180L
仓库库存编号：
P16265CT-ND
别名：P16265CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Tc） 65W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR8721TRPBF
仓库库存编号：
IRLR8721TRPBFCT-ND
别名：IRLR8721TRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A, 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP
型号：
SH8M3TB1
仓库库存编号：
SH8M3TB1CT-ND
别名：SH8M3TB1CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB065N03L G
仓库库存编号：
IPB065N03LGINCT-ND
别名：IPB065N03LGINCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 14.9A（Ta），78.6A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC084P03NS3 G
仓库库存编号：
BSC084P03NS3 GCT-ND
别名：BSC084P03NS3 GCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta） 700mW（Ta），22W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN4R203NC,L1Q
仓库库存编号：
TPN4R203NCL1QCT-ND
别名：TPN4R203NCL1QCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ035N03MS G
仓库库存编号：
BSZ035N03MSGINCT-ND
别名：BSZ035N03MSGINCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E130MNTB1
仓库库存编号：
RQ3E130MNTB1CT-ND
别名：RQ3E130MNTB1CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2W（Ta） 8-HSMT（3.2x3）
型号：
RQ3E100MNTB1
仓库库存编号：
RQ3E100MNTB1CT-ND
别名：RQ3E100MNTB1CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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