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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11A 2.7W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
  
  型号：IRFHM8363TR2PBF
  仓库库存编号：IRFHM8363TR2PBFCT-ND
  别名：IRFHM8363TR2PBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），75W（Tc） DIRECTFET? MX
  
  型号：IRF8306MTR1PBF
  仓库库存编号：IRF8306MTR1PBFCT-ND
  别名：IRF8306MTR1PBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 45A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），45A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC889N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC889N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC889N03LS GCT
  BSC889N03LS GCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 44A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC889N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC889N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC889N03MS GCT
  BSC889N03MS GCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD068P03L3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD068P03L3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD068P03L3 GCT
  IPD068P03L3 GCT-ND
  IPD068P03L3GBTMA1CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30N03S2L20GBTMA1
  仓库库存编号：SPD30N03S2L20GBTMA1CT-ND
  别名：SPD30N03S2L-20 GCT
  SPD30N03S2L-20 GCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD50N03S207GBTMA1
  仓库库存编号：SPD50N03S207GBTMA1CT-ND
  别名：SPD50N03S2-07 GCT
  SPD50N03S2-07 GCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 39A（Ta），180A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB012N03LX3 G
  仓库库存编号：BSB012N03LX3 GCT-ND
  别名：BSB012N03LX3 GCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Ta），147A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB017N03LX3 G
  仓库库存编号：BSB017N03LX3 GCT-ND
  别名：BSB017N03LX3 GCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT363-6
  
  型号：BSD314SPEL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSD314SPEL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSD314SPE L6327CT
  BSD314SPE L6327CT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta），60A（Tc） 2.2W（Ta），28W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSF050N03LQ3GXUMA1
  仓库库存编号：BSF050N03LQ3GXUMA1CT-ND
  别名：BSF050N03LQ3 GCT
  BSF050N03LQ3 GCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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  MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
  
  型号：BSL308PEL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSL308PEL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSL308PE L6327CT
  BSL308PE L6327CT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 235A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 160A（Tc） 231W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRF2903ZS
  仓库库存编号：AUIRF2903ZS-ND
  别名：SP001518498
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.3A 2.4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AUIRF7303Q
  仓库库存编号：AUIRF7303Q-ND
  别名：SP001517242
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AUIRF7316Q
  仓库库存编号：AUIRF7316Q-ND
  别名：SP001522678
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.5A, 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AUIRF7319Q
  仓库库存编号：AUIRF7319Q-ND
  别名：SP001517232
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AUIRF7379Q
  仓库库存编号：AUIRF7379Q-ND
  别名：SP001518462
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AUIRF9952Q
  仓库库存编号：AUIRF9952Q-ND
  别名：SP001519192
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 120A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK751R6-30E,127
  仓库库存编号：568-9837-5-ND
  别名：568-9837-5
  934066478127
  BUK751R630E127
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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  MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 120A（Tc） 349W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK7E1R6-30E,127
  仓库库存编号：568-9848-5-ND
  别名：568-9848-5
  934066509127
  BUK7E1R630E127
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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  MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 120A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK951R6-30E,127
  仓库库存编号：568-9859-5-ND
  别名：568-9859-5
  934066519127
  BUK951R630E127
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 120A（Tc） 349W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK9E1R6-30E,127
  仓库库存编号：568-9869-5-ND
  别名：568-9869-5
  934066508127
  BUK9E1R630E127
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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  MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 22A（Ta），160A（Tc） 2.1W（Ta），113W（Tc） DIRECTFET? MX
  
  型号：IRF9383MTR1PBF
  仓库库存编号：IRF9383MTR1PBFCT-ND
  别名：IRF9383MTR1PBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 30V 13A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：AUIRF7805Q
  仓库库存编号：AUIRF7805Q-ND
  别名：SP001522050
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A SQ
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），60A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SQ
  
  型号：IRF8327STR1PBF
  仓库库存编号：IRF8327STR1PBFCT-ND
  别名：IRF8327STR1PBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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