规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7828TRPBF
仓库库存编号：
IRF7828TRPBFCT-ND
别名：IRF7828TRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 105A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
IRL8113STRLPBF
仓库库存编号：
IRL8113STRLPBFCT-ND
别名：IRL8113STRLPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta），40A（Tc） 2.8W（Ta），37W（Tc） PQFN（3x3）
型号：
IRFHM830DTR2PBF
仓库库存编号：
IRFHM830DTR2PBFCT-ND
别名：IRFHM830DTR2PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta），40A（Tc） 2.7W（Ta），37W（Tc） PQFN（3x3）
型号：
IRFHM830TR2PBF
仓库库存编号：
IRFHM830TR2PBFCT-ND
别名：IRFHM830TR2PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），40A（Tc） 2.5W（Ta），27W（Tc） PQFN（3x3）
型号：
IRFHM831TR2PBF
仓库库存编号：
IRFHM831TR2PBFCT-ND
别名：IRFHM831TR2PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta），40A（Tc） 2.7W（Ta），37W（Tc） PQFN（3x3）
型号：
IRLHM630TR2PBF
仓库库存编号：
IRLHM630TR2PBFCT-ND
别名：IRLHM630TR2PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 6A（Ta），13A（Tc） 2.1W（Ta） 6-PQFN（2x2）
型号：
IRFHS9301TR2PBF
仓库库存编号：
IRFHS9301TR2PBFCT-ND
别名：IRFHS9301TR2PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 1.4W Surface Mount 6-PQFN (2x2)
型号：
IRFHS9351TR2PBF
仓库库存编号：
IRFHS9351TR2PBFCT-ND
别名：IRFHS9351TR2PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.8A（Ta），19A（Tc） 2.1W（Ta） 6-PQFN（2x2）
型号：
IRFHS8342TR2PBF
仓库库存编号：
IRFHS8342TR2PBFCT-ND
别名：IRFHS8342TR2PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRLR2703
仓库库存编号：
AUIRLR2703-ND
别名：SP001523052
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15A 2.7W Surface Mount DIRECTFET? MA
型号：
IRF6702M2DTR1PBF
仓库库存编号：
IRF6702M2DTR1PBF-ND
别名：IRF6702M2DTR1P
IRF6702M2DTR1P-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15A 2.7W Surface Mount DIRECTFET? MA
型号：
IRF6702M2DTRPBF
仓库库存编号：
IRF6702M2DTRPBF-ND
别名：SP001523948
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Tc） 2.5W（Ta），20W（Tc） DIRECTFET S1
型号：
IRF6708S2TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6708S2TR1PBF-ND
别名：SP001523958
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Tc） 2.5W（Ta），20W（Tc） DIRECTFET S1
型号：
IRF6708S2TRPBF
仓库库存编号：
IRF6708S2TRPBF-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF9332PBF
仓库库存编号：
IRF9332PBF-ND
别名：SP001563824
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF9392PBF
仓库库存编号：
IRF9392PBF-ND
别名：SP001577592
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 158W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK653R7-30C,127
仓库库存编号：
568-7498-5-ND
别名：568-7498-5
934064244127
BUK653R7-30C,127-ND
BUK653R730C127
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.7A（Ta），19A（Tc） 2.1W（Ta） 6-PQFN（2x2）
型号：
IRLHS6342TR2PBF
仓库库存编号：
IRLHS6342TR2PBFCT-ND
别名：IRLHS6342TR2PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.6A 1.5W Surface Mount 6-PQFN (2x2)
型号：
IRLHS6376TR2PBF
仓库库存编号：
IRLHS6376TR2PBFCT-ND
别名：IRLHS6376TR2PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta），120A（Tc） 3.6W（Ta），59W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH8318TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH8318TR2PBFCT-ND
别名：IRFH8318TR2PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta），82A（Tc） 3.6W（Ta），54W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH8325TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH8325TR2PBFCT-ND
别名：IRFH8325TR2PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta），56A（Tc） 3.3W（Ta），35W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH8330TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH8330TR2PBFCT-ND
别名：IRFH8330TR2PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），44A（Tc） 3.2W（Ta），30W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH8334TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH8334TR2PBFCT-ND
别名：IRFH8334TR2PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta），35A（Tc） 3.2W（Ta），27W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH8337TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH8337TR2PBFCT-ND
别名：IRFH8337TR2PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.3A, 2A 500mW Surface Mount 6-TSOP
型号：
BSL308CL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL308CL6327HTSA1TR-ND
别名：BSL308C L6327
BSL308C L6327-ND
SP000473910
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
搜索
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200
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