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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF8714GPBF
  仓库库存编号：IRF8714GPBF-ND
  别名：SP001551628
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF8721GPBF
  仓库库存编号：IRF8721GPBF-ND
  别名：SP001555790
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），110W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH5301TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5301TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5301TR2PBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 32A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），100W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH5302TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5302TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5302TR2PBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 15A 5X6 PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta），44A（Tc） 3.6W（Ta），26W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH5306TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5306TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5306TR2PBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），250W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH5300TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5300TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5300TR2PBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH2030AL,115
  仓库库存编号：PH2030AL,115-ND
  别名：934062275115
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH3430AL,115
  仓库库存编号：PH3430AL,115-ND
  别名：934063086115
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V TSOP-6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 1.4A, 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
  
  型号：BSL316CL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSL316CL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSL316C L6327CT
  BSL316C L6327CT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO130N03MSGXUMA1
  仓库库存编号：BSO130N03MSGXUMA1CT-ND
  别名：BSO130N03MS GCT
  BSO130N03MS GCT-ND
  BSO130N03MSG
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS315PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS315PL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSS315P L6327CT
  BSS315P L6327CT-ND
  BSS315PL6327
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.9A（Ta），12.5A（Tc） 2.5W（Ta），63W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC200P03LSGAUMA1
  仓库库存编号：BSC200P03LSGAUMA1CT-ND
  别名：BSC200P03LS GINCT
  BSC200P03LS GINCT-ND
  BSC200P03LSG
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.1A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
  
  型号：BSL302SNL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSL302SNL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSL302SN L6327INCT
  BSL302SN L6327INCT-ND
  BSL302SNL6327
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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  MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 6TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.3A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
  
  型号：BSL306NL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSL306NL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSL306N L6327INCT
  BSL306N L6327INCT-ND
  BSL306NL6327
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 1.5A TSOP-6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
  
  型号：BSL315PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSL315PL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSL315P L6327INCT
  BSL315P L6327INCT-ND
  BSL315PL6327
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12.6A（Ta） 1.79W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO080P03SNTMA1
  仓库库存编号：BSO080P03SNTMA1CT-ND
  别名：BSO080P03SINCT
  BSO080P03SINCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO220N03MSGXUMA1
  仓库库存编号：BSO220N03MSGXUMA1CT-ND
  别名：BSO220N03MS GINCT
  BSO220N03MS GINCT-ND
  BSO220N03MSG
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD031N03M G
  仓库库存编号：IPD031N03M GINCT-ND
  别名：IPD031N03M GINCT
  IPD031N03MG
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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  MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 29A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH5302DTR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5302DTR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5302DTR2PBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta），79A（Tc） 3.6W（Ta），46W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH5304TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH5304TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH5304TR2PBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH4530AL,115
  仓库库存编号：PH4530AL,115-ND
  别名：934063198115
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 174A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Ta），174A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB019N03LX G
  仓库库存编号：BSB019N03LX G-ND
  别名：SP000597826
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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  MOSFET N-CH 30V 145A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta），145A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB024N03LX G
  仓库库存编号：BSB024N03LX G-ND
  别名：SP000597838
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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  MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta），71A（Tc） 2.3W（Ta），42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB053N03LP G
  仓库库存编号：BSB053N03LP G-ND
  别名：SP000597830
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta），71A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSF053N03LT G
  仓库库存编号：BSF053N03LT G-ND
  别名：SP000597832
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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