规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 63A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH9030L,115
仓库库存编号:
PH9030L,115-ND
别名:934061644115
PH9030L T/R
PH9030L T/R-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta),63A(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF045N03MQ3 G
仓库库存编号:
BSF045N03MQ3 G-ND
别名:SP000458790
SP000597844
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.3A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS306NL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS306NL6327HTSA1TR-ND
别名:BSS306N L6327
BSS306N L6327-ND
SP000442400
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS308PEL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS308PEL6327HTSA1TR-ND
别名:BSS308PE L6327
BSS308PE L6327-ND
SP000442474
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.4A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS316NL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS316NL6327HTSA1TR-ND
别名:BSS316N L6327
BSS316N L6327-ND
SP000442416
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 38W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB114N03L G
仓库库存编号:
IPB114N03L G-ND
别名:SP000304102
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Tc) 31W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB147N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPB147N03LGATMA1TR-ND
别名:IPB147N03L G
IPB147N03L G-ND
SP000254712
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N03S2L07ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N03S2L07ATMA1TR-ND
别名:IPD30N03S2L-07
IPD30N03S2L-07-ND
SP000254463
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 100A TO262-3
详细描述:通孔 P 沟道 30V 100A(Tc) 200W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI100P03P3L-04
仓库库存编号:
IPI100P03P3L-04-ND
别名:SP000311117
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 22A(Tc) 31W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI22N03S4L15AKSA1
仓库库存编号:
IPI22N03S4L15AKSA1-ND
别名:IPI22N03S4L-15
IPI22N03S4L-15-ND
SP000277016
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N03S4L04AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N03S4L04AKSA1-ND
别名:IPI80N03S4L-04
IPI80N03S4L-04-ND
SP000274983
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP080N03L G
仓库库存编号:
IPP080N03L G-ND
别名:SP000264166
SP000680836
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 100A TO220-3
详细描述:通孔 P 沟道 30V 100A(Tc) 200W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100P03P3L-04
仓库库存编号:
IPP100P03P3L-04-ND
别名:SP000311114
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 22A(Tc) 31W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP22N03S4L15AKSA1
仓库库存编号:
IPP22N03S4L15AKSA1-ND
别名:IPP22N03S4L-15
IPP22N03S4L-15-ND
SP000275290
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N03S4L04AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N03S4L04AKSA1-ND
别名:IPP80N03S4L-04
IPP80N03S4L-04-ND
SP000274981
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3-11
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS075N03LGAKMA1
仓库库存编号:
IPS075N03LGAKMA1-ND
别名:IPS075N03L G
IPS075N03L G-ND
IPS075N03LG
SP000705726
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU075N03L G
仓库库存编号:
IPU075N03L G-ND
别名:SP000271467
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L10GBTMA1
仓库库存编号:
SPD30N03S2L10GBTMA1TR-ND
别名:SP000443918
SPD30N03S2L-10 G
SPD30N03S2L-10 G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 31A(Ta),190A(Tc) 2.8W(Ta),104W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6729MTR1PBF
仓库库存编号:
IRF6729MTR1PBFCT-ND
别名:IRF6729MTR1PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A, 11A 1.5W, 2.4W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF8513TRPBF
仓库库存编号:
IRF8513TRPBFCT-ND
别名:IRF8513TRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta),42A(Tc) 2.8W(Ta) 8-PQFN(3x3)
型号:
IRFH3702TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH3702TR2PBFCT-ND
别名:IRFH3702TR2PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta),35A(Tc) 3.1W(Ta) PQFN(5x6)
型号:
IRFH7914TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH7914TR2PBFCT-ND
别名:IRFH7914TR2PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN56
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta),54A(Tc) 3.1W(Ta) PQFN(5x6)
型号:
IRFH7936TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH7936TR2PBFCT-ND
别名:IRFH7936TR2PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 255W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK753R4-30B,127
仓库库存编号:
568-6624-5-ND
别名:568-6624
568-6624-5
568-6624-ND
934060026127
BUK753R4-30B,127-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 55A(Tc) 150W(Tc) DPAK
型号:
BUK9213-30A,118
仓库库存编号:
BUK9213-30A,118-ND
别名:934057315118
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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