以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 167W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N03S2L-05
  仓库库存编号：SPI80N03S2L-05-ND
  别名：SP000016266
  SPI80N03S2L05X
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N03S2L-06
  仓库库存编号：SPI80N03S2L-06-ND
  别名：SP000016265
  SPI80N03S2L06X
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N03S2-03
  仓库库存编号：SPP80N03S2-03-ND
  别名：SP000012468
  SPP80N03S203X
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N03S2L-03
  仓库库存编号：SPP80N03S2L-03-ND
  别名：SP000012469
  SPP80N03S2L03X
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N03S2L04AKSA1
  仓库库存编号：SPP80N03S2L04AKSA1-ND
  别名：SPP80N03S2L-04
  SPP80N03S2L-04-ND
  SPP80N03S2L04X
  SPP80N03S2L04XK
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Tc） 125W（Tc） P-TO251-3
  
  型号：SPU30N03S2-08
  仓库库存编号：SPU30N03S2-08-ND
  别名：SP000014129
  SPU30N03S208X
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 73A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17.5A（Ta），73A（Tc） 17.5W（Ta），48W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC059N03S G
  仓库库存编号：BSC059N03SGINCT-ND
  别名：BSC059N03SG
  BSC059N03SGINCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.9A（Ta），30A（Tc） 2.8W（Ta），43W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC119N03S G
  仓库库存编号：BSC119N03SGINCT-ND
  别名：BSC119N03SG
  BSC119N03SGINCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5.5A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
  
  型号：BSL307SPL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSL307SPL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSL307SPL6327INCT
  BSL307SPL6327INCT-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO052N03S
  仓库库存编号：BSO052N03SINCT-ND
  别名：BSO052N03SINCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO072N03S
  仓库库存编号：BSO072N03SINCT-ND
  别名：BSO072N03SINCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO119N03S
  仓库库存编号：BSO119N03SINCT-ND
  别名：BSO119N03SINCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 7.6A 8DSO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.6A 1.4W Surface Mount PG-DSO-8
  
  型号：BSO150N03
  仓库库存编号：BSO150N03INCT-ND
  别名：BSO150N03INCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.6A 1.4W Surface Mount PG-DSO-8
  
  型号：BSO200N03
  仓库库存编号：BSO200N03INCT-ND
  别名：BSO200N03INCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO200N03S
  仓库库存编号：BSO200N03SINCT-ND
  别名：BSO200N03SINCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 5.7A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.7A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO300N03S
  仓库库存编号：BSO300N03SINCT-ND
  别名：BSO300N03SINCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 5A 8DSO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5A 1.4W Surface Mount PG-DSO-8
  
  型号：BSO350N03
  仓库库存编号：BSO350N03INCT-ND
  别名：BSO350N03INCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB05N03LB G
  仓库库存编号：IPB05N03LBGINCT-ND
  别名：IPB05N03LBG
  IPB05N03LBGINCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 52W（Tc） P-TO263-3
  
  型号：IPB13N03LB G
  仓库库存编号：IPB13N03LBGINCT-ND
  别名：IPB13N03LBG
  IPB13N03LBGINCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 115W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD03N03LB G
  仓库库存编号：IPD03N03LBGINCT-ND
  别名：IPD03N03LBG
  IPD03N03LBGINCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 52W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD12N03LB G
  仓库库存编号：IPD12N03LBGINCT-ND
  别名：IPD12N03LBG
  IPD12N03LBGINCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 95A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta），95A（Tc） 2.8W（Ta），62.5W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC042N03S G
  仓库库存编号：BSC042N03SGINCT-ND
  别名：BSC042N03SG
  BSC042N03SGINCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  JFET P-CH 30V 400MW TO92-3
  详细描述：JFET P-Channel 30V 400mW Through Hole TO-92
  
  型号：J174,126
  仓库库存编号：J174,126-ND
  别名：934005290126
  J174 AMO
  J174 AMO-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  JFET P-CH 30V 400MW TO92-3
  详细描述：JFET P-Channel 30V 400mW Through Hole TO-92
  
  型号：J176,126
  仓库库存编号：J176,126-ND
  别名：934005310126
  J176 AMO
  J176 AMO-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.6A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7603TRPBF
  仓库库存编号：IRF7603TRPBFCT-ND
  别名：IRF7603TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
• 
  
  无铅
• 搜索