规格:漏源电压(Vdss) 30V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(5185)
分立半导体产品
(5185)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(493)
Central Semiconductor Corp(21)
Diodes Incorporated(354)
EPC(5)
Fairchild/Micross Components(800)
Fairchild/ON Semiconductor(208)
Infineon Technologies(1038)
Kionix Inc.(88)
Micro Commercial Co(15)
Microchip Technology(4)
Microsemi Corporation(15)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(5)
Nexperia USA Inc.(226)
NXP USA Inc.(114)
ON Semiconductor(80)
Panasonic - ATG(7)
Panasonic - BSG(3)
Panasonic - DTG(1)
Panasonic Electronic Components(2)
Panasonic Industrial Automation Sales(16)
Renesas Electronics America(65)
Rohm Semiconductor(197)
Sanken(11)
STMicroelectronics(196)
Taiwan Semiconductor Corporation(153)
Texas Instruments(71)
Torex Semiconductor Ltd(4)
Toshiba Semiconductor and Storage(160)
Trinamic Motion Control GmbH(2)
Vishay BC Components(97)
Vishay Beyschlag(362)
Vishay Electro-Films(170)
Vishay Huntington Electric Inc.(51)
Vishay Semiconductor Diodes Division(26)
Vishay Semiconductor Opto Division(7)
Vishay Sfernice(19)
Vishay Siliconix(72)
Vishay Spectrol(11)
Vishay Sprague(5)
Vishay Thin Film(7)
Vishay Vitramon(4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 59A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 59A(Tc) 57W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3707Z
仓库库存编号:
IRF3707Z-ND
别名:*IRF3707Z
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 59A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 59A(Tc) 57W(Tc) TO-262
型号:
IRF3707ZL
仓库库存编号:
IRF3707ZL-ND
别名:*IRF3707ZL
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 87A(Tc) 79W(Tc) TO-262
型号:
IRF3709ZCL
仓库库存编号:
IRF3709ZCL-ND
别名:*IRF3709ZCL
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 87A(Tc) 79W(Tc) TO-262
型号:
IRF3709ZL
仓库库存编号:
IRF3709ZL-ND
别名:*IRF3709ZL
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 87A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709ZS
仓库库存编号:
IRF3709ZS-ND
别名:*IRF3709ZS
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 105A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL8113
仓库库存编号:
IRL8113-ND
别名:*IRL8113
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 105A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 105A(Tc) 110W(Tc) TO-262
型号:
IRL8113L
仓库库存编号:
IRL8113L-ND
别名:*IRL8113L
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 105A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRL8113S
仓库库存编号:
IRL8113S-ND
别名:*IRL8113S
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 19A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7834
仓库库存编号:
IRF7834-ND
别名:*IRF7834
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 19A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7834TR
仓库库存编号:
IRF7834TR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7832TR
仓库库存编号:
IRF7832CT-ND
别名:*IRF7832TR
IRF7832CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 59A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3707ZCSTRR
仓库库存编号:
IRF3707ZCSTRR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 59A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3707ZSTRL
仓库库存编号:
IRF3707ZSTRL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 59A(Tc) 57W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3707ZSTRR
仓库库存编号:
IRF3707ZSTRR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 87A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709ZCSTRL
仓库库存编号:
IRF3709ZCSTRL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 87A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709ZCSTRR
仓库库存编号:
IRF3709ZCSTRR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 10A 14-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 10A 2W Surface Mount 14-SOIC
型号:
IRF7335D1TR
仓库库存编号:
IRF7335D1TR-ND
别名:Q1902365
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 32A(Ta),180A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6635TR1
仓库库存编号:
IRF6635TR1CT-ND
别名:IRF6635TR1CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 32A(Ta),150A(Tc) 3.9W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6611
仓库库存编号:
IRF6611CT-ND
别名:IRF6611CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7832Z
仓库库存编号:
IRF7832Z-ND
别名:SP001554428
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 19A(Ta),106A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6616TR1
仓库库存编号:
IRF6616TR1CT-ND
别名:IRF6616TR1CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta),55A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SQ
型号:
IRF6621TR1
仓库库存编号:
IRF6621TR1CT-ND
别名:IRF6621TR1CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta),59A(Tc) 2.3W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? MP
型号:
IRF6637TR1
仓库库存编号:
IRF6637TR1CT-ND
别名:IRF6637TR1CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 43A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 43A(Tc) 40W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU7807ZPBF
仓库库存编号:
IRLU7807ZPBF-ND
别名:*IRLU7807ZPBF
SP001568878
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 56A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 56A(Tc) 50W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3707ZPBF
仓库库存编号:
IRFU3707ZPBF-ND
别名:*IRFU3707ZPBF
SP001567690
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
187
188
189
190
191
192
193
194
195
196
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号