规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 60W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD30N03S2L-20
仓库库存编号：
SPD30N03S2L20INTR-ND
别名：SP000013488
SPD30N03S2L20INTR
SPD30N03S2L20XT
SPD30N03S2L20XT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD50N03S2L-06
仓库库存编号：
SPD50N03S2L06INCT-ND
别名：SPD50N03S2L06
SPD50N03S2L06INCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Ta），170A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MT
型号：
IRF6618
仓库库存编号：
IRF6618CT-ND
别名：*IRF6618
IRF6618CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），55A（Tc） 2.1W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
型号：
IRF6608
仓库库存编号：
IRF6608CT-ND
别名：*IRF6608
IRF6608CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7413ZTR
仓库库存编号：
IRF7413ZTR-ND
别名：SP001551338
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7807ZTR
仓库库存编号：
IRF7807ZTR-ND
别名：SP001572296
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 59A（Tc） 57W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3707ZCS
仓库库存编号：
IRF3707ZCS-ND
别名：*IRF3707ZCS
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 59A（Tc） 57W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3707ZS
仓库库存编号：
IRF3707ZS-ND
别名：*IRF3707ZS
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7413Z
仓库库存编号：
IRF7413Z-ND
别名：*IRF7413Z
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7807Z
仓库库存编号：
IRF7807Z-ND
别名：*IRF7807Z
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF8113TR
仓库库存编号：
IRF8113TR-ND
别名：SP001577648
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 161A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR7843TR
仓库库存编号：
IRLR7843TR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7831TR
仓库库存编号：
IRF7831TR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 43A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR7807ZTR
仓库库存编号：
IRLR7807ZTR-ND
别名：SP001558476
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 86A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3709Z
仓库库存编号：
IRFR3709Z-ND
别名：*IRFR3709Z
SP001555082
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 150A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
型号：
IRL7833S
仓库库存编号：
IRL7833S-ND
别名：*IRL7833S
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF8113
仓库库存编号：
IRF8113-ND
别名：*IRF8113
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709ZCS
仓库库存编号：
IRF3709ZCS-ND
别名：*IRF3709ZCS
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 24A（Ta），136A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MX
型号：
IRF6612TR1
仓库库存编号：
IRF6612TR1CT-ND
别名：*IRF6612
IRF6612CT
IRF6612CT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），55A（Tc） 2.1W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
型号：
64-9144
仓库库存编号：
64-9144CT-ND
别名：*IRF6617
IRF6617CT
IRF6617CT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709ZSTRL
仓库库存编号：
IRF3709ZSTRL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709ZSTRR
仓库库存编号：
IRF3709ZSTRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 105A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
IRL8113STRL
仓库库存编号：
IRL8113STRL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 105A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
IRL8113STRR
仓库库存编号：
IRL8113STRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 59A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 30V 59A（Tc） 57W（Tc） TO-262
型号：
IRF3707ZCL
仓库库存编号：
IRF3707ZCL-ND
别名：*IRF3707ZCL
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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