规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 140A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR7833TRR
仓库库存编号:
IRLR7833TRR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 94A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8113
仓库库存编号:
IRLR8113-ND
别名:*IRLR8113
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 94A(Tc) 89W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR8113TR
仓库库存编号:
IRLR8113TR-ND
别名:SP001558970
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI100N03S2L-03
仓库库存编号:
SPI100N03S2L-03-ND
别名:Q1620887
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 42A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 42A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP42N03S2L-13
仓库库存编号:
SPP42N03S2L-13IN-ND
别名:SPP42N03S2L-13IN
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 73A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 73A(Tc) 107W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP73N03S2L08XK
仓库库存编号:
SPP73N03S2L08XK-ND
别名:SP000013465
SPP73N03S2L-08
SPP73N03S2L-08IN
SPP73N03S2L-08IN-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 82W(Tc) P-TO251-3
型号:
SPU30N03S2L-10
仓库库存编号:
SPU30N03S2L-10IN-ND
别名:SP000013467
SPU30N03S2L-10IN
SPU30N03S2L-10XTIN
SPU30N03S2L-10XTIN-ND
SPU30N03S2L10X
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N03S2L-06
仓库库存编号:
SPP80N03S2L-06IN-ND
别名:SP000014061
SPP80N03S2L-06IN
SPP80N03S2L-06XTIN
SPP80N03S2L-06XTIN-ND
SPP80N03S2L06X
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N03S2L-03
仓库库存编号:
SPP100N03S2L-03IN-ND
别名:SPP100N03S2L-03IN
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP100N03S2-03
仓库库存编号:
SPP100N03S2-03IN-ND
别名:SPP100N03S2-03IN
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5.5A(Ta) 2W(Ta) P-TSOP6-6
型号:
BSL307SP
仓库库存编号:
BSL307SPINTR-ND
别名:BSL307SPINTR
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 12.6A(Ta) 2.5W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO301SPNTMA1
仓库库存编号:
BSO301SPNTMA1CT-ND
别名:BSO301SPINCT
BSO301SPINCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8.9A(Ta) 2.35W(Ta) P-DSO-8
型号:
BSO303SPNTMA1
仓库库存编号:
BSO303SPINCT-ND
别名:BSO303SPINCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11.1A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
BSO4410
仓库库存编号:
BSO4410INCT-ND
别名:BSO4410INCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
BSO4420
仓库库存编号:
BSO4420INCT-ND
别名:BSO4420INCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
BSO4804
仓库库存编号:
BSO4804INCT-ND
别名:BSO4804INCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12.7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
BSO4822
仓库库存编号:
BSO4822INCT-ND
别名:BSO4822INCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2-03
仓库库存编号:
SPB100N03S203INTR-ND
别名:SPB100N03S203INTR
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2L-03
仓库库存编号:
SPB100N03S2L-INTR-ND
别名:SPB100N03S2L-INTR
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 73A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 73A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB73N03S2L-08
仓库库存编号:
SPB73N03S2L08INTR-ND
别名:SPB73N03S2L08INTR
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-05
仓库库存编号:
SPB80N03S2L05INTR-ND
别名:SPB80N03S2L05INTR
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N03S2L-06
仓库库存编号:
SPB80N03S2L06INCT-ND
别名:SPB80N03S2L06INCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-5
型号:
SPD100N03S2L-04
仓库库存编号:
SPD100N03S2L-INTR-ND
别名:SPD100N03S2L-INTR
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L-07
仓库库存编号:
SPD30N03S2L07INCT-ND
别名:SPD30N03S2L07
SPD30N03S2L07INCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L-10
仓库库存编号:
SPD30N03S2L10INCT-ND
别名:SPD30N03S2L10
SPD30N03S2L10INCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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