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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：IRF7807D2TR
  仓库库存编号：IRF7807D2TR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7809ATR
  仓库库存编号：IRF7809ATR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 17.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17.6A（Ta） 3.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7809TR
  仓库库存编号：IRF7809TR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.2A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7901D1
  仓库库存编号：IRF7901D1-ND
  别名：*IRF7901D1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.2A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7901D1TR
  仓库库存编号：IRF7901D1TR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9410TR
  仓库库存编号：IRF9410TR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF9952TR
  仓库库存编号：IRF9952TR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF9953TR
  仓库库存编号：IRF9953TR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF9956TR
  仓库库存编号：IRF9956TR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 33A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3303TRL
  仓库库存编号：IRFR3303TRL-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 33A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3303TRR
  仓库库存编号：IRFR3303TRR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 116A（Tc） 3.8W（Ta），180W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL2203NSTRR
  仓库库存编号：IRL2203NSTRR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 24A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL2703STRL
  仓库库存编号：IRL2703STRL-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 24A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL2703STRR
  仓库库存编号：IRL2703STRR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 3.1W（Ta），89W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3103D1STRL
  仓库库存编号：IRL3103D1STRL-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 54A（Tc） 2W（Ta），70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3103D2
  仓库库存编号：IRL3103D2-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 54A（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3103D2S
  仓库库存编号：IRL3103D2S-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 54A（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3103D2STRL
  仓库库存编号：IRL3103D2STRL-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 94W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3103STRR
  仓库库存编号：IRL3103STRR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL3303D1
  仓库库存编号：IRL3303D1-ND
  别名：*IRL3303D1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3303D1S
  仓库库存编号：IRL3303D1S-ND
  别名：*IRL3303D1S
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3303D1STRL
  仓库库存编号：IRL3303D1STRL-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3303STRL
  仓库库存编号：IRL3303STRL-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3303STRR
  仓库库存编号：IRL3303STRR-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 140A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3803STRR
  仓库库存编号：IRL3803STRR-ND
  别名：SP001550338
  
  规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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