规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 179A(Tc) 270W(Tc) SUPER-220?(TO-273AA)
型号:
IRLBA3803P
仓库库存编号:
IRLBA3803P-ND
别名:*IRLBA3803P
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 260A SUPER D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 260A(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc) SUPER D2-PAK
型号:
IRFBL3703
仓库库存编号:
IRFBL3703-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) TO-262
型号:
IRF3707L
仓库库存编号:
IRF3707L-ND
别名:*IRF3707L
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 116A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 116A(Tc) 3.8W(Ta),180W(Tc) TO-262
型号:
IRL2203NL
仓库库存编号:
IRL2203NL-ND
别名:*IRL2203NL
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 38A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) TO-262
型号:
IRL3303L
仓库库存编号:
IRL3303L-ND
别名:*IRL3303L
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 140A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
94-4764
仓库库存编号:
94-4764-ND
别名:*IRL3803L
IRL3803L
IRL3803L-ND
SP001519020
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3A(Ta) 1.25W(Ta) Micro3?/SOT-23
型号:
IRLML5203
仓库库存编号:
IRLML5203-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2A(Ta) 1.25W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7526D1
仓库库存编号:
IRF7526D1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3707
仓库库存编号:
IRF3707-ND
别名:*IRF3707
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3707STRL
仓库库存编号:
IRF3707STRL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3707STRR
仓库库存编号:
IRF3707STRR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3708
仓库库存编号:
IRF3708-ND
别名:*IRF3708
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3708S
仓库库存编号:
IRF3708S-ND
别名:*IRF3708S
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3708STRL
仓库库存编号:
IRF3708STRL-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 87W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3708STRR
仓库库存编号:
IRF3708STRR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7353D2
仓库库存编号:
IRF7353D2-ND
别名:*IRF7353D2
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7379TR
仓库库存编号:
IRF7379TR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7389TR
仓库库存编号:
IRF7389TR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7413ATR
仓库库存编号:
IRF7413ATR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.8A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7421D1TR
仓库库存编号:
IRF7421D1TR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7458TR
仓库库存编号:
IRF7458TR-ND
别名:SP001575116
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7463TR
仓库库存编号:
IRF7463TR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7466TR
仓库库存编号:
IRF7466TR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7467TR
仓库库存编号:
IRF7467TR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7807D1TR
仓库库存编号:
IRF7807D1TR-ND
别名:SP001577472
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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