规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 94W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3103STRL
仓库库存编号：
IRL3103STRL-ND
别名：SP001573698
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 140A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3803STRL
仓库库存编号：
IRL3803STRL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 55A（Tc） 107W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3103TR
仓库库存编号：
IRLR3103TR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3303TR
仓库库存编号：
IRLR3303TR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 23A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 23A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU2703
仓库库存编号：
IRLU2703-ND
别名：*IRLU2703
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 35A（Tc） 68W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU3303
仓库库存编号：
IRLU3303-ND
别名：*IRLU3303
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4410DY
仓库库存编号：
SI4410DY-ND
别名：*SI4410DY
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4435DYTR
仓库库存编号：
SI4435DYTR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4435DY
仓库库存编号：
SI4435DY-ND
别名：*SI4435DY
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.4A 1.25W Surface Mount Micro8?
型号：
IRF7503TR
仓库库存编号：
IRF7503CT-ND
别名：*IRF7503TR
IRF7503
IRF7503CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.7A 1.25W Surface Mount Micro8?
型号：
IRF7506TR
仓库库存编号：
IRF7506CT-ND
别名：*IRF7506TR
IRF7506
IRF7506CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.7A, 2A 1.25W Surface Mount Micro8?
型号：
IRF7509TR
仓库库存编号：
IRF7509CT-ND
别名：*IRF7509TR
IRF7509
IRF7509CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.6A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
型号：
IRF7603TR
仓库库存编号：
IRF7603CT-ND
别名：*IRF7603TR
IRF7603
IRF7603CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.2A（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML2803TR
仓库库存编号：
IRLML2803CT-ND
别名：*IRLML2803TR
IRLML2803
IRLML2803-ND
IRLML2803CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 760mA（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML5103TR
仓库库存编号：
IRLML5103CT-ND
别名：*IRLML5103TR
IRLML5103
IRLML5103-ND
IRLML5103CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.2A（Ta） 1.7W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRLMS1503TR
仓库库存编号：
IRLMS1503CT-ND
别名：*IRLMS1503TR
IRLMS1503
IRLMS1503CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 62A（Tc） 87W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3707S
仓库库存编号：
IRF3707S-ND
别名：*IRF3707S
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 24A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
IRL2703S
仓库库存编号：
IRL2703S-ND
别名：*IRL2703S
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 44A（Tc） 62W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR8503
仓库库存编号：
IRLR8503-ND
别名：*IRLR8503
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
型号：
IRF7523D1
仓库库存编号：
IRF7523D1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7413A
仓库库存编号：
IRF7413A-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7466
仓库库存编号：
IRF7466-ND
别名：*IRF7466
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7467
仓库库存编号：
IRF7467-ND
别名：*IRF7467
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4420DY
仓库库存编号：
SI4420DY-ND
别名：*SI4420DY
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.9A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRLL2703
仓库库存编号：
IRLL2703-ND
别名：*IRLL2703
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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