规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 180MA SC-75
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 180mA(Ta) 230mW(Ta),1.06W(Tc) SC-75
型号:
NX3020NAKT,115
仓库库存编号:
568-10506-1-ND
别名:568-10506-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.1A 510mW Surface Mount DFN2020-6
型号:
PMDPB56XN,115
仓库库存编号:
568-10760-1-ND
别名:568-10760-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 510mW Surface Mount DFN2020-6
型号:
PMDPB70EN,115
仓库库存编号:
568-10761-1-ND
别名:568-10761-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A HUSON6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.4A 475mW Surface Mount DFN2020-6
型号:
PMDPB95XNE,115
仓库库存编号:
568-10764-1-ND
别名:568-10764-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 0.9A SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 900mA(Ta) 275mW(Ta),1.065W(Tc) SOT-323-3
型号:
PMF250XN,115
仓库库存编号:
568-10784-1-ND
别名:568-10784-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.5A(Ta) 270mW(Ta),1.92W(Tc) SOT-323-3
型号:
PMF77XN,115
仓库库存编号:
568-10786-1-ND
别名:568-10786-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.7A(Ta) 275mW(Ta) SOT-323-3
型号:
PMF87EN,115
仓库库存编号:
568-10787-1-ND
别名:568-10787-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 900mA 390mW Surface Mount 6-TSSOP
型号:
PMGD175XN,115
仓库库存编号:
568-10793-1-ND
别名:568-10793-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 8A SC-74
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8A(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN15UN,115
仓库库存编号:
568-10795-1-ND
别名:568-10795-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.7A SC-74
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.7A(Ta) 545mW(Ta),6.25W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN22XN,115
仓库库存编号:
568-10796-1-ND
别名:568-10796-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.1A(Ta) 500mW(Ta) 6-TSOP
型号:
PMN35EN,125
仓库库存编号:
568-10800-1-ND
别名:568-10800-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 7.4A SC-73
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.4A(Ta) 820mW(Ta),8.33W(Tc) SOT-223
型号:
PMT21EN,135
仓库库存编号:
568-10827-1-ND
别名:568-10827-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 6A SC-73
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6A(Ta) 820mW(Ta),8.33W(Tc) SOT-223
型号:
PMT29EN,115
仓库库存编号:
568-10828-1-ND
别名:568-10828-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.1A(Ta) 325mW(Ta),1.275W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV185XN,215
仓库库存编号:
568-10831-1-ND
别名:568-10831-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 3.1A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.1A(Ta) 380mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV37EN,215
仓库库存编号:
568-10835-1-ND
别名:568-10835-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.9A(Ta) 310mW(Ta), 2.09W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV90EN,215
仓库库存编号:
568-10838-1-ND
别名:568-10838-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 930mA(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) 3-DFN1006B(0.6x1)
型号:
PMZB380XN,315
仓库库存编号:
568-10843-1-ND
别名:568-10843-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 900mA(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) 3-DFN1006B(0.6x1)
型号:
PMZB420UN,315
仓库库存编号:
568-10844-1-ND
别名:568-10844-1
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 3.2A(Ta) 400mW(Ta),8.33W(Tc) DFN1010D-3
型号:
PMXB56EN
仓库库存编号:
1727-1477-1-ND
别名:1727-1477-1
568-10948-1
568-10948-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.3A(Ta) 800mW(Ta) 3-MPAK
型号:
RQJ0303PGDQA#H6
仓库库存编号:
RQJ0303PGDQA#H6-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.5A 8-SOP
详细描述:Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 3.5A 2.2W Surface Mount 8-SOP
型号:
RJM0306JSP-01#J0
仓库库存编号:
RJM0306JSP-01#J0-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 341W(Tc) TO-263AB
型号:
FDB8132_F085
仓库库存编号:
FDB8132_F085CT-ND
别名:FDB8132_F085CT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50MA TO-206AF
详细描述:通孔 P 沟道 30V 50mA(Ta) 375mW(Ta) TO-72
型号:
3N164
仓库库存编号:
3N164-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 25A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 25A(Tc) 3W(Ta),6.25W(Tc) 8-SO
型号:
SI4752DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4752DY-T1-GE3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 35A(Tc) 5W(Ta),27.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR482DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR482DP-T1-GE3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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