规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.3A TSOP-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 5.3A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP6-6
型号:
BSL305SPEH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL305SPEH6327XTSA1-ND
别名:SP000953150
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.1A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.1A(Ta) 2W(Ta) P-TSOP6-6
型号:
BSL302SNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL302SNH6327XTSA1-ND
别名:SP001100662
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
型号:
BSL308PEH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL308PEH6327XTSA1-ND
别名:SP001101004
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 6.3A TSOP-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 6.3A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP6-6
型号:
BSL303SPEH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL303SPEH6327XTSA1-ND
别名:SP000953144
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC022N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC022N03L3X1SA1-ND
别名:SP000904026
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta),63A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0906NSATMA1
仓库库存编号:
BSC0906NSATMA1CT-ND
别名:BSC0906NSCT
BSC0906NSCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 2.6W(Ta),20W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
IRFHM8342TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM8342TRPBFCT-ND
别名:IRFHM8342TRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD090N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD090N03LGBTMA1-ND
别名:SP000236950
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD40N03S4L08ATMA1
仓库库存编号:
IPD40N03S4L08ATMA1-ND
别名:SP000475916
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9A(Ta),39.6A(Tc) 2.1W(Ta),40W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ180P03NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSZ180P03NS3GATMA1TR-ND
别名:BSZ180P03NS3 G
BSZ180P03NS3 G-ND
SP000709744
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 11A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),52W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ120P03NS3EGATMA1
仓库库存编号:
BSZ120P03NS3EGATMA1TR-ND
别名:BSZ120P03NS3E G
BSZ120P03NS3E G-ND
SP000709730
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9392TRPBF
仓库库存编号:
IRF9392TRPBF-ND
别名:SP001554514
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9410TRPBF
仓库库存编号:
IRF9410PBFTR-ND
别名:IRF9410PBFTR
IRF9410TRPBF-ND
IRF9410TRPBFTR-ND
SP001551686
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC028N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC028N03L3X1SA1-ND
别名:SP000555720
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.7W(Ta),28W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
IRFHM8334TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM8334TRPBFCT-ND
别名:IRFHM8334TRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO110N03MSGXUMA1
仓库库存编号:
BSO110N03MSGXUMA1TR-ND
别名:BSO110N03MS G
BSO110N03MS G-ND
BSO110N03MS GINTR
BSO110N03MS GINTR-ND
SP000446062
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.1W(Ta) PG-TDSON-8
型号:
BSZ0994NSATMA1
仓库库存编号:
BSZ0994NSATMA1-ND
别名:SP001586402
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 9.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9332TRPBF
仓库库存编号:
IRF9332TRPBF-ND
别名:SP001565710
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8714GTRPBF
仓库库存编号:
IRF8714GTRPBFTR-ND
别名:IRF8714GTRPBFTR
SP001570678
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta) 2.7W(Ta),33W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
IRFHM8330TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM8330TRPBFCT-ND
别名:IRFHM8330TRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF9956TRPBF
仓库库存编号:
IRF9956PBFTR-ND
别名:IRF9956PBFTR
IRF9956TRPBF-ND
IRF9956TRPBFTR-ND
SP001565688
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8721GTRPBF
仓库库存编号:
IRF8721GTRPBFTR-ND
别名:IRF8721GTRPBFTR
SP001565746
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD075N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD075N03LGBTMA1-ND
别名:SP000249747
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 22A(Tc) 31W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB22N03S4L15ATMA1
仓库库存编号:
IPB22N03S4L15ATMA1TR-ND
别名:IPB22N03S4L-15
IPB22N03S4L-15-ND
IPB22N03S4L-15INTR
IPB22N03S4L-15INTR-ND
SP000275308
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD060N03LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD060N03LGBTMA1-ND
别名:SP000236948
规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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