规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 17.5A（Ta），65A（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4965NFT3G
仓库库存编号：
NTMFS4965NFT3G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP
型号：
SP8M10TB
仓库库存编号：
SP8M10TBCT-ND
别名：SP8M10TBCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），319A（Tc） 3.84W（Ta）, 161W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS4C01NWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS4C01NWFT1G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
型号：
HAT2165H-EL-E
仓库库存编号：
HAT2165H-EL-E-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 64A U8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 16.3A（Ta），64A（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NTTFS4965NFTAG
仓库库存编号：
NTTFS4965NFTAG-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7788DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7788DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7788DP-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SO
型号：
SI4390DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4390DY-T1-E3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SO
型号：
SI4390DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4390DY-T1-GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4890DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4890DY-T1-GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 17.5A（Ta），65A（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4965NFT1G
仓库库存编号：
NTMFS4965NFT1G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7342DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7342DP-T1-GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PT8 N 30/20 IN POWERCLIP 56 SING
详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Tc） 156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
FDMS8050
仓库库存编号：
FDMS8050-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4442DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4442DY-T1-GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 5W（Ta），56W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7374DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7374DP-T1-E3TR-ND
别名：SI7374DP-T1-E3TR
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 5W（Ta），56W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7374DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7374DP-T1-GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 2.5W（Ta），4.4W（Tc） 8-SO
型号：
SI4636DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4636DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4636DY-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4368DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4368DY-T1-GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 85A（Tc） 3.1W（Ta），78.1W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP85N03-3M6P-GE3
仓库库存编号：
SUP85N03-3M6P-GE3-ND
别名：SUP85N03-3M6P-GE3CT
SUP85N03-3M6P-GE3CT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 254W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8860
仓库库存编号：
FDB8860CT-ND
别名：FDB8860CT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），210A（Tc） 1.06W（Ta），104W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4933NT3G
仓库库存编号：
NTMFS4933NT3G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 11.7A, 14.2A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号：
NTMFD4C88NT3G
仓库库存编号：
NTMFD4C88NT3G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 191A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），191A（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4833NAT1G
仓库库存编号：
NTMFS4833NAT1G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 28A 8PSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta） 3W（Ta） 8-PSOP
型号：
RMW280N03TB
仓库库存编号：
RMW280N03TBCT-ND
别名：RMW280N03TBCT
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE802DF-T1-E3
仓库库存编号：
SIE802DF-T1-E3TR-ND
别名：SIE802DF-T1-E3TR
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE802DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE802DF-T1-GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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