品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7606TR
仓库库存编号:
IRF7606CT-ND
别名:*IRF7606TR
IRF7606
IRF7606CT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL2703TRPBF
仓库库存编号:
IRLL2703TRPBFCT-ND
别名:IRLL2703TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),57A(Tc) 2.6W(Ta),33W(Tc) PQFN(3x3)
型号:
IRFHM8329TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM8329TRPBFCT-ND
别名:IRFHM8329TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.4A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9335TRPBF
仓库库存编号:
IRF9335TRPBFCT-ND
别名:IRF9335TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7606TRPBF
仓库库存编号:
IRF7606TRPBFCT-ND
别名:IRF7606TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta) 2.8W(Ta),37W(Tc)
型号:
IRFHM8326TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM8326TRPBFCT-ND
别名:IRFHM8326TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),35A(Tc) 2.1W(Ta),25W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ130N03MS G
仓库库存编号:
BSZ130N03MSGINCT-ND
别名:BSZ130N03MSGINCT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),65A(Tc) 2.5W(Ta),39W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC886N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC886N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC886N03LS GCT
BSC886N03LS GCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Ta),39.5A(Tc) 2.1W(Ta),40W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ180P03NS3EGATMA1
仓库库存编号:
BSZ180P03NS3EGATMA1CT-ND
别名:BSZ180P03NS3EGATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N03S2L20ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N03S2L20ATMA1CT-ND
别名:IPD30N03S2L20ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7201TRPBF
仓库库存编号:
IRF7201PBFCT-ND
别名:*IRF7201TRPBF
IRF7201PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9333TRPBF
仓库库存编号:
IRF9333TRPBFCT-ND
别名:IRF9333TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD50N03S4L06ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N03S4L06ATMA1CT-ND
别名:IPD50N03S4L06ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),52W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ120P03NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSZ120P03NS3GATMA1CT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),90A(Tc) 3.6W(Ta),54W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH8324TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH8324TR2PBFCT-ND
别名:IRFH8324TR2PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),30W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ100N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ100N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSZ100N03LSGINCT
BSZ100N03LSGINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),30W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ100N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ100N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSZ100N03MSGINCT
BSZ100N03MSGINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 11A 8PQFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta) 2.6W(Ta) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
IRFHM9391TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM9391TRPBFCT-ND
别名:IRFHM9391TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 1.25W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7526D1TRPBF
仓库库存编号:
IRF7526D1TRPBFCT-ND
别名:IRF7526D1TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9388TRPBF
仓库库存编号:
IRF9388TRPBFCT-ND
别名:IRF9388TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8736TRPBF
仓库库存编号:
IRF8736TRPBFCT-ND
别名:IRF8736TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD075N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD075N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD075N03LGINCT
IPD075N03LGINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7306TR
仓库库存编号:
IRF7306TR-ND
别名:SP001551228
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD060N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD060N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD060N03LGINCT
IPD060N03LGINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),35W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ088N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ088N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSZ088N03MSGINCT
BSZ088N03MSGINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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